メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > FDS9435A力Mosfetのトランジスター単一P -チャネルの電界効果トランジスタ

FDS9435A力Mosfetのトランジスター単一P -チャネルの電界効果トランジスタ

メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-Source Voltage:
–30 V
Gate-Source Voltage:
±25 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +175 °C
Storage Temperature:
–55 to +175 °C
Drain Current (Continuous):
–5.3 A
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
25 °C/W
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

FDS9435A力Mosfetのトランジスター単一P -チャネルの電界効果トランジスタ

概説

このP-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体の高度のPowerTrenchプロセスの険しいゲート版である。それは広い範囲をの要求する適用がドライブ電圧評価(4.5V – 25V)を与えた力管理のために最大限に活用された。

適用

·力管理

·負荷スイッチ

·電池の保護

特徴

·– 5.3 A、– 30ボルト RDS () = 50 MW @ VGS = – 10ボルト

RDS () = 80 MW @ VGS = – 4.5ボルト

·低いゲート充満

·速い切り替え速度

·極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()

·高い発電および現在の処理の機能

通知がなければ絶対最高評価TA =25℃

記号 変数 評価 単位
VDSS 下水管源の電圧 -30 V
VGSS ゲート源の電圧 ±25 V
ID

現在を–連続的流出させなさい(ノート1a)

–脈打つ

-5.3
-50
PD

半二重操作(ノート1a)のための電力損失

(ノート1b)

(ノート1c)

2.5 W
1.2
1
TJ、TSTG 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 -55から+175 °C

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
H11G1SR2M 3977 フェアチャイルド 10+ SOP-6
H11L1SR2M 14256 フェアチャイルド 16+ SOP
H1260NL 10280 脈拍 15+ SMD
HA17324 3948 RENESAS 14+ DIP-14
HA17324ARPEL-E-Q 7361 RENESAS 15+ SOP-14
HCF4051BEY 3919 ST 16+ すくい
HCF4052M013TR 7598 ST 13+ SOP-16
HCF4060BE 18658 ST 14+ すくい
HCNR200 6587 AVAGO 15+ DIPSOP
HCNR200-000E 7432 AVAGO 15+ すくい
HCNW2611-000E 5720 AVAGO 16+ DIP-8
HCNW4502 6210 AVAGO 13+ SOP
HCPL-0466 3551 AVAGO 15+ SOP-8
HCPL-0630 15108 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL-0639 5791 フェアチャイルド 13+ SOP-8
HCPL-181-000E 9000 AVAGO 16+ SOP-4
HCPL-2602 8795 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL2630SD 2204 FSC 16+ SOP
HCPL-2731 15179 AVAGO 13+ DIPSOP
HCPL-3120 9870 AVAGO 15+ DIPSOP
HCPL-316J 13751 AVAGO 12+ SOP-18
HCPL-4504 21001 AVAGO 16+ DIPSOP
HCPL-4506 12623 AVAGO 14+ DIP-8
HCPL-7840-500E 5971 AVAGO 15+ SOP
HCPL-786J 13822 AVAGO 16+ SOP-16
HD06-T 54000 ダイオード 15+ SMD
HD64F3687FPV 3168 RENESAS 14+ TQFP-64
HD74LS00P 8647 RENESAS 16+ DIP-14
HD74LS04P 8718 RENESAS 13+ DIP-14
HD74LS125P 8931 RENESAS 15+ すくい

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs