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力mosfetの低い電力mosfetを転換する2N2646ケイ素UNIJUNCTIONのトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Programmable Unijunction Transistor (UJT) 35V 300 mW TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VDGR:
300 V
VGSS:
±30 V
ID:
32 A
Tch:
150 °C
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入
力mosfetの低い電力mosfetを転換する2N2646ケイ素UNIJUNCTIONのトランジスター

ケイ素UNIJUNCTIONのトランジスター

ケイ素の平面のUnijunctionのトランジスターは大いにより高い基盤1のピーク脈拍の電圧としてより低い飽和電圧、ピークポイントの流れおよび谷の現在のzellに終って構造を同様に備えている。さらに、これらの装置は大いにより速いスイッチである。

2N2646は回路の経済が第一次重要性をもつ意図され、シリコン制御整流素子および保証された最低のパルス振幅が要求される他の適用のための発砲回路の使用にとって理想的である一般目的の産業適用のために。2N2647は現在の低いエミッターの漏出および低いピークポイントのエミッターの流れ(制動機の流れ)が高い発電SCRを誘発するためにおよびまた要求される適用のために意図されている。

通知がなければ絶対最高評価Tj=125°C

記号 評価

2N2646

2N2647

単位
VB2E エミッターBase2の電圧 30 V
Ie RMSのエミッターの流れ 50 mA
ie * ピーク脈拍のエミッターの流れ 2
VB2B Interbase電圧 35 V
PD RMSの電力損失 300 MW
TJ 接合部温度 -65から+125 °C
TStg 保管温度 -65から+150 °C

物品目録

36MB100A 1629 IR 15+ モジュール
LM2674MX-5.0 1865 NSC 10+ SOP-8
LTC1690CS8 6022 線形 14+ SOP
PMBT3904 780000 15+ SOT-23
PM10CNA060 200 MITSUBISH 09+ MOUDLE
B1240 3455 15+ DIP18
LM3403N 2969 NSC 10+ DIP-14
LM4050CIM3X-2.5 6586 NSC 13+ SOT-23-3
PIC16LF877A-I/PT 4698 マイクロチップ 16+ QFP
MAX4252EUA 13500 格言 15+ MSOP
MC33033DW 11000 16+ SOP
L05172 1596 ST 15+ HSSOP36
BT136S-600E 3829 15+ TO220
MCP6S21-I/MS 5560 マイクロチップ 16+ MSOP
MTD1375F 7513 SHINDENGE 15+ HSOP
MAX3232ECAE 11250 格言 16+ SSOP
MD1803DFX 5836 ST 16+ TO-3P
LM5118MH 1743 NSC 11+ TSSOP-20
LTC3108IGN 6857 LT 16+ SSOP
ATTINY26L-8MU 552 ATMEL 14+ QFN-32
ZRA245A02 1200 ZETEX 10+ TO-92
LP3855ESX-3.3 2263 NSC 14+ TO-263
PIC18F25J10-I/SO 4558 マイクロチップ 15+ SOP
AU6254 3000 ALCOR 12+ LQFP48
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