FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET
メーカー:
製造者
記述:
Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-Source Voltage:
30 V
Gate-Source Voltage:
± 20 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +150 °C
Storage Temperature:
–55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
40 °C/W
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
FDS6990A力Mosfetのトランジスター二重Nチャネルの論理のPowerTrench MOSFET
概説
これらのN-Channelの論理のレベルのMOSFETsはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度のPowerTrenchプロセスを使用して。
これらの装置は低電圧および低いインライン電源切れおよび速い切換えが要求される電池式の適用のためにうってつけである。
特徴
·7.5 A、30 V. RDS （） = 18 MW @ VGS = 10ボルト
RDS （） = 23 MW @ VGS = 4.5ボルト
·速い切り替え速度
·低いゲート充満
·極端に低いRDSのための高性能の堀の技術（）
·高い発電および現在の処理の機能
通知がなければ絶対最高評価TA =25℃
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 30 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ± 20 | V |
| ID |
現在を–連続的流出させなさい（ノート1a） –脈打つ |
7.5 | |
| 20 | |||
| PD |
半二重操作（ノート1a）のための電力損失 （ノート1b） （ノート1c） |
1.6 | W |
| 1.0 | |||
| 0.9 | |||
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55から+150 | ℃ |
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| G5V-1-DC9 | 6255 | OMRON | 15+ | すくい |
| G5V-2-12VDC | 7727 | OMRON | 14+ | すくい |
| G60N100BNTD | 3498 | フェアチャイルド | 13+ | TO-264 |
| G65SC51P-2 | 6939 | CMD | 16+ | DIP-28 |
| G6K-2F-Y-5VDC | 10509 | OMRON | 13+ | SOP-8 |
| GAL16V8D-25LP | 5311 | 格子 | 16+ | DIP-20 |
| GBL08-E3/51 | 13704 | VISHAY | 14+ | DIP-4 |
| GBPC3508W-E4/51 | 8669 | VISHAY | 16+ | DIP-4 |
| GBU408 | 90000 | 9月 | 13+ | ZIP-4 |
| GBU6K | 14556 | LRC | 13+ | SIP-4 |
| GBU8M | 17593 | VISHAY | 15+ | DIP-4 |
| GE865-QUAD | 1285 | TELIT | 14+ | GPRS |
| GIPS20K60 | 2254 | ST | 13+ | モジュール |
| GL34A | 4000 | DIOTEC | 13+ | DO-213AA |
| GL41D | 20000 | GS | 13+ | LL41 |
| GL852G-MNG12 | 7574 | GENESYS | 15+ | LQFP-48 |
| GL865は二倍になる | 1174 | TELIT | 10+ | GPRS |
| GLL4760-E3/97 | 24000 | VISHAY | 10+ | NA |
| GP1S094HCZ0F | 5752 | シャープ | 13+ | DIP-4 |
| GS2978-CNE3 | 2125 | GENNUM | 15+ | QFN16 |
| GS2984-INE3 | 1336 | GENNUM | 13+ | QFN |
| GS2988-INE3 | 6693 | GENNUM | 16+ | QFN16 |
| GS3137-08-TAZ | 2008年 | コネクサント | 09+ | TSSOP |
| GSIB2580-E3/45 | 4938 | VISHAY | 16+ | GSIB-5S |
| GSOT03C-GS08 | 7000 | VISHAY | 15+ | SOT-23 |
| GVA-63+ | 8824 | 小型 | 15+ | SOT-23 |
| GVA-84+ | 4397 | 小型 | 14+ | SOT-89 |
| H11AA1SR2M | 14966 | フェアチャイルド | 14+ | SOP-6 |
| H11AA4 | 15037 | フェアチャイルド | 14+ | すくい |
| H11AG1SR2M | 4006 | フェアチャイルド | 14+ | SOP-6 |
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs