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NDT456P力MosfetのトランジスターP-Channelの電界効果トランジスタ

メーカー:
製造者
記述:
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-Source Voltage:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Operating and Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Package:
SOT-223
ハイライト:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

導入

NDT456PのP-Channelの強化モード電界効果トランジスタ

概説

力のSOTのP-Channelの強化モード力の電界効果トランジスタは、高い細胞密度専有、フェアチャイルドDMOSの技術を使用して作り出される。この非常に高密度プロセスは特にオン州の抵抗を最小にし、優秀な転換の性能を提供するために合う。これらの装置はノート パソコン力管理、電池式回路およびDCののような低電圧の適用に特に運動制御適する。

特徴

  • -7.5 A、-30 V. RDS () = 0.030 W @ VGS = -10ボルト
  • RDS () = 0.045 W @ VGS = -4.5 V。
  • 極端に低いRDSのための高密度細胞の設計()
  • 広く利用された表面の台紙のパッケージの高い発電そして現在の処理の機能。

通知がなければ絶対最高評価TA = 25°C

記号 変数 NDT456P 単位
VDSS 下水管源の電圧 -30 V
VGSS ゲート源の電圧 ±20 V
ID

現在を-連続的流出させなさい(ノート1a)

-脈打つ

±7.5
±20
PD

最高の電力損失(ノート1a)

(ノート1b)

(ノート1c)

3 W
1.3 W
1.1 W
TJ、TSTG 作動し、保管温度の範囲 -65から150 °C

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ

RT9026GSP 23872 RICHTEK 16+ SOP-8
RT9045GSP 11490 RICHTEK 16+ SOP-8
RT9214PS 15944 RICHTEK 16+ SOP-8
SHT10 1175 SENSIRION 15+ SOP-8
SP706RCN 7732 SIPEX 16+ SOP-8
TSM101AIDT 9770 SOP-8 16+ SOP-8
SST25VF010A-33-4C-SAE 16984 SST 13+ SOP-8
SST25VF016B-75-4I-S2AF 26844 SST 14+ SOP-8
SST25VF080B-80-4C-S2AE 26928 SST 15+ SOP-8
SLVU2.8-4A1 13096 ST 14+ SOP-8
ST1480ACDR 24912 ST 13+ SOP-8
ST1S40IDR 9040 ST 16+ SOP-8
ST24C02WP 2800 ST 10+ SOP-8
ST662ACD 20852 ST 15+ SOP-8
TL062IDT 16250 ST 12+ SOP-8
TL072CDT 17438 ST 16+ SOP-8
TS4871IDT 7980 ST 15+ SOP-8
TS555IDT 16286 ST 16+ SOP-8
TS912BIDT 8264 ST 16+ SOP-8
TSM103WIDT 8420 ST 07+ SOP-8
UA741CDT 54000 ST 16+ SOP-8
REF01CSZ 3186 広告 16+ SOP-8
REF192GS 11689 広告 10+ SOP-8
REF193GSZ 2699 広告 15+ SOP-8
SSM2143S 11955 広告 10+ SOP-8
REF195GSZ 5340 ADI 10+ SOP-8
SSM2143SZ 1994年 ADI 07+ SOP-8
TSL2550D-TR 12487 AMS 16+ SOP-8
TISP61089BDR-S 15208 BOURNS 10+ SOP-8
RH56 14328 コネクサント 16+ SOP-8

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