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キーワード [ silicon npn power transistors ] マッチ 177 製品.
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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BD439 パワー Mosfet モジュール プラスチック中出力シリコン NPN トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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製造者
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TIP102 Mosfet トランジスタ相補型シリコンパワーダーリントントランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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TIP122力Mosfetのトランジスター補足のケイ素力のダーリントンのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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製造者
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BD681 NPNダーリントン力トランジスター中型力の切換え |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン穴SOT-32-3を通した100ボルト4 A 40 W
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製造者
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MJE15032G MJE15033G力Mosfetのトランジスター補足力mosfet |
両極（BJT）トランジスターNPN 250 V8穴TO-220を通した30MHz 50 W
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製造者
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BFR520力MosfetのトランジスターNPN 9つのGHzのワイドバンドのトランジスター |
RFのトランジスターNPN 15V 70mA 9GHz 150mW表面の台紙SC-75
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製造者
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BC846Bのケイ素の一般目的のトランジスターNPN電気IC |
両極（BJT）トランジスターNPN 65 V 100 mA 300MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23-3
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製造者
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2SC2482 TO-92のプラスチック パッケージのトランジスター（NPN）、Npnの一般目的のトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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製造者
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BCV49力Mosfetのトランジスター、NPNのケイ素のダーリントンのトランジスター高いコレクター流れ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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製造者
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2SC4793 （Fは、M） 3 Pinのトランジスター破片の電子工学IC Integarted Circutsを欠く |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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製造者
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PMBT2222AYS115力Mosfetのトランジスター、フィリップスNPN転換力mosfet |
バイポーラ (BJT) トランジスタ アレイ
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製造者
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ZTX653 NPNのケイ素平面の（中型力トランジスター）転換力mosfet |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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製造者
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PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707 |
両極（BJT）トランジスターNPN 50 V8 330MHz 1 Wの表面の台紙TP-FA
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製造者
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2SC2229-Y力mosfet IC力Mosfetのトランジスター ケイ素NPNの三倍によって拡散させるタイプ（PCTプロセス） |
穴TO-92MODを通って両極（BJT）トランジスターNPN 150 V 50 mA 120MHz 800 MW
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製造者
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2SC5171可聴周波電力増幅器ICのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ200のMHz |
両極（BJT）トランジスターNPN 180 V 2穴TO-220NISを通した200MHz 2 W
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製造者
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MMBT4403LT1Gの切換えの高い発電mosfetのトランジスター、PNPのケイ素力トランジスター |
両極（BJT）トランジスターPNP 40 V 600 mA 200MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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IRF9540力mosfet IC力Mosfetのトランジスター19A、100V、0.200オーム、P-Channel力のMOSFETs |
P-Channel 100 V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
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製造者
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LT1086CM-3.3力mosfetモジュールの電子工学ICはIntegarted Circutsを欠く |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 1.5A 3-DDPAK
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製造者
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MJD340TF 高電圧パワートランジスタ D-PAK スイッチングパワー MOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 1.56 W Surface Mount D-Pak
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製造者
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LD1117S12TR力Mosfetのトランジスター低い低下の固定および調節可能で肯定的な電圧安定器 |
Linear Voltage Regulator IC Positive Fixed 1 Output 800mA SOT-223
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製造者
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FCX605TA 20V NPN シリコン高電圧ダーリントン トランジスタ汎用 MOSFET |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 120 V 1 A 150MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
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製造者
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PBSS4112PANPの115力MosfetのトランジスターNPN/NPN低いVCEsat （BISS）トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 120V 1A 120MHz 510mW Surface Mount 6-HUSON (2x2)
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製造者
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2SC5242 3 PinのトランジスターNPNエピタキシアル ケイ素のトランジスター原物 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
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製造者
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BC847B SOT-23 1F 1FW NPN両極SMDのトランジスター |
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製造者
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MMBT3904-7-Fの多エミッターのトランジスターNPN小さい信号の表面の台紙のトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
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製造者
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BC847A二重力MosfetのトランジスターNPNケイ素の電子工学の部品 |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 300MHz 250 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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2SC945 オーディオ周波数アンプ高周波 OSC Npn トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 150MHz 400 mW Through Hole TO-92
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製造者
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NPNのエピタキシアル ケイ素のトランジスター力Mosfetのトランジスター2SC5200 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-264
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製造者
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PZT2222A パワーMOSFET トランジスタ NPN 汎用アンプ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 300MHz 1 W Surface Mount SOT-223
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製造者
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MMBT5551LT1G パワーMOSFET トランジスタ 高電圧トランジスタ NPN シリコン |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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製造者
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NJW0302G補足の転換力Mosfetのトランジスター、NPN - PNP力の両極トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
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製造者
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FZT653TA パワー Mosfet トランジスタ Npn シリコン プレーナ高性能トランジスタ |
TRANS NPN 100V 2A SOT223-3
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製造者
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MPSA42 パワー MOSFET トランジスタ 低電流 NPN 高電圧トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
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製造者
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概要Afの適用、高いコレクター流れBc817-40のためのトランジスター（Npn） |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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BC847Cの一般目的のnpnのトランジスター力MosfetのトランジスターSOT-23両極トランジスター トランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 300MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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BC807-40 SOT-23の両極トランジスター トランジスター（PNP） PNP一般目的のアンプの統合された半導体 |
両極（BJT）トランジスターPNP 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23
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製造者
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PBSS4320T 20 V NPN低いVCEsatのトランジスター転換力mosfet |
両極（BJT）トランジスターNPN 20 V 2 100MHz 540 MWの表面の台紙TO-236AB
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製造者
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BCP54 パワーMOSFET IC トランジスタ NPN 汎用アンプ トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 1.5 A 1.5 W Surface Mount SOT-223-4
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製造者
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DDTC144EE-7-F NPN プリバイアス小信号 SOT-523 表面実装トランジスタ |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount SOT-523
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製造者
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NPNの一般目的のトランジスターBC848B |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
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製造者
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BT151-500R N チャンネル MOS FET NPN エピタキシャル シリコン トランジスタ 3 ピン トランジスタ サイリスタ |
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製造者
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BC817-25LT1G NPNの一般目的のトランジスター電子工学の集積回路 |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 500 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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MMBTA43LT1G高圧力mosfetのトランジスター、rf力mosfetのトランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN 200 V 50 mA 50MHz 225 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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EMD3T2R パワー MOSFET モジュール トランジスタ 汎用 (デュアル デジタル トランジスタ) |
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
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製造者
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ケイ素PNPのエピタキシアル平面トランジスター、2SB1560可聴周波力mosfet |
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP - ダーリントン 150 V 10 A 50MHz 100 W スルーホール TO-3P
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製造者
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LM2577T-ADJ 3 Pinのトランジスター簡単なSWITCHER-R増大する電圧安定器 |
Boost, Flyback, Forward Converter Switching Regulator IC Positive Adjustable 1.23V 1 Output 3A (Switch) TO-220-5
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製造者
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MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した |
IGBT
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製造者
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TIP120力Mosfetのトランジスター補足のケイ素のトランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン穴TO-220を通した60ボルト5 A 2 W
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製造者
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ケイ素PNPエピタキシアル平面の可聴周波力mosfet 2SB1560、 |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 50MHz 100 W Through Hole TO-3P
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製造者
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MMBT4401LT1G転換力Mosfetのトランジスター高い発電225 MW PD |
両極（BJT）トランジスターNPN 40 V 600 mA 250MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
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製造者
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