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2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧

メーカー:
STMicroelectronics
記述:
穴TO-220を通した両極(BJT)トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書
指定
コレクター流れ(DC):
3A
Collector-Base電圧:
60V
Collector-emitter電圧:
60V
Emitter-base電圧:
7V
頻度:
120MHz
権力 の 消耗:
2w
トランジスター極性:
NPN
作動の臨時雇用者の範囲:
-55Cへの150C
ハイライト:

epitaxial planar pnp transistor

,

silicon npn power transistors

導入

2SD1899 NPN PNPトランジスタ シリコン NPN パワートランジスタ

記述

・低収納器飽和電圧

·100%の雪崩テスト

·装置の性能と信頼性の高い動作のために,少量に各ロットの変動


応用

·高変速周波数アプリケーション

仕様

カテゴリー:BJT - 一般目的
メーカー: RENESAS TECHNOLOGY
コレクター電流 (DC): 3 (A)
コレクターベース電圧: 60V
コレクター・エミッター・電圧: 60v
エミッターベース電圧: 7 ((V)
周波数:120MHz
電力分散: 2 (W)
固定: 表面の固定
動作温度範囲: -55Cから150C
パッケージタイプ:TO-252
ピン数: 2 +Tab
エレメント数: 1
作業温度分類: 軍用
カテゴリー: 双極力
ラッド硬化: ありません
トランジスタの偏性: NPN
出力:不要 (W)
構成: 単機
DC電流増強: 60@0.2A@2V/50@2A@2V

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