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2SD669A高い発電Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 140MHz 1 W Through Hole TO-126
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-base voltage:
180 V
Collector-emitter voltage:
160 V
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current (DC):
1.5 A
Collector current-peak:
3 A
Junction temperature:
150 ℃
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

ケイ素NPN力トランジスター2SD669 2SD669A

記述

·TO-126パッケージを使って

·2SB649/649Aをタイプする補足物

·高い絶縁破壊電圧VCEO:120/160V

·高い現在の1.5A

·低い飽和電圧、優秀なhFEの直線性

適用

·低頻度の電力増幅器の塗布のため

絶対最高評価(Ta=25℃)

記号 変数 条件 価値 単位
VCBO Collector-base電圧 2SD669 開いたエミッター 180 V
2SD669A 180 V
VCEO Collector-emitter電圧 2SD669 開いた基盤 120 V
2SD669A 160 V
VEBO Emitter-base電圧 開いたコレクター 5 V
IC コレクター流れ(DC) 1.5
ICM コレクターの現在ピーク 3
PD 全体の電力損失 Ta=25℃ 1 W
TC =25℃ 20 W
Tj 接合部温度 150
Tstg 保管温度 -55~150

パッケージの輪郭

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
TIL111M 12128 フェアチャイルド 16+ DIP-6
TGS813 821 FIGARO 16+ DIP-6
PS710A 11988 NEC 15+ DIP-6
S21MD4V 7520 シャープ 13+ DIP-6
STV2247H 18192 ST 14+ DIP-56
TDA9855 1904年 フィリップス 16+ DIP-52
SKBPC3516 14738 9月 15+ DIP-5
ST16C550IP 7940 EXAR 16+ DIP-40
UPD765AC-2 2750 NEC 15+ DIP-40
SC26C92C1N 1454 16+ DIP-40
PS2501-1-A 25500 RENESAS 13+ DIP-4
RPI-441C1 12436 ROHM 16+ DIP-4
RPI-574 11358 ROHM 16+ DIP-4
RPI-579N1 17364 ROHM 08+ DIP-4
RPR-220 16400 ROHM 14+ DIP-4
RPR359F 15732 ROHM 10+ DIP-4
RPR-359F 4500 ROHM 16+ DIP-4
S1WBS80 17654 鳥取三洋電機 11+ DIP-4
RS206 14768 9月 16+ DIP-4
W08 81500 9月 16+ DIP-4
UPD431000ACZ-70L 12540 NEC 16+ DIP-32
TDA4855 15174 フィリップス 16+ DIP-32
TDA9160A 13684 フィリップス 16+ DIP-32
ST-1MLBR2 6480 KODENSHI 13+ DIP-3
SL1021B090 4236 LITTELFUS 16+ DIP-3
RE200B 6368 NICERA 13+ DIP-3
RE200B-P 7904 NICERA 12+ DIP-3
SPLLL90-3 521 OSRAM 10+ DIP-3
RPM6938 36584 ROHM 06+ DIP-3
RPM6938-V4 5972 ROHM 16+ DIP-3

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