TIP122力Mosfetのトランジスター補足のケイ素力のダーリントンのトランジスター
メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Emitter-base電圧:
5ボルト
Collector Current:
5 A
Collector Peak Current:
8 A
Base Current:
0.1 A
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
TIP120/121/122
TIP125/126/127
ケイ素力のダーリントンの補足のトランジスター
■STMicroelectronicsはSALESTYPESを好んだ
記述
TIP120、TIP121およびTIP122はJedec TO-220のプラスチック パッケージに取付けられるダーリントン単一構成のケイ素のエピタキシアル基盤NPN力トランジスターである。それらは力の線形および転換の適用の使用のためにintented。補足PNPのタイプはTIP125、TIP126およびTIP127、それぞれである。
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 | |||
| NPN | TIP120 | TIP121 | TIP122 | |||
| PNP | TIP125 | TIP126 | TIP127 | |||
| VCBO | Collector-Base電圧（IE = 0） | 60 | 80 | 100 | V | |
| VCEO | Collector-Emitter電圧（IB = 0） | 60 | 80 | 100 | V | |
| VEBO | 内部図式的な図表（IC = 0） | 5 | V | |||
| IC | コレクター流れ | 5 | ||||
| ICM | コレクターのピーク電流 | 8 | ||||
| IB | 基礎流れ | 0.1 | ||||
| Ptot |
Tcaseの≤ 25の℃の総消滅 Tambの≤ 25の℃ |
65 2 |
W | |||
| Tstg | 保管温度 | -65から150 | ℃ | |||
| Tj | 最高。作動の接合部温度 | 150 | ℃ | |||
TO-220 内部図式的な図表
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs