BFR520力MosfetのトランジスターNPN 9つのGHzのワイドバンドのトランジスター
メーカー:
製造者
記述:
RFのトランジスターNPN 15V 70mA 9GHz 150mW表面の台紙SC-75
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-Base電圧:
20ボルト
Collector-emitter電圧:
15ボルト
DCのコレクター流れ:
70 mA
全体の電力損失:
300mW
フィードバック キャパシタンス:
0.4 pF
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
NPN 9つのGHzのワイドバンドのトランジスター BFR520
特徴
•高い発電の利益
•低雑音図
•高い転移の頻度
•金のメタライゼーションは優秀な信頼性を保障する。
記述
BFR520はアナログおよびデジタル携帯電話、コードレス電話（CT1、CT2、DECT、等）、レーダーの探知器、ポケベルおよび衛星TVのチューナー（SATV）および繊維光学システムの中継器のアンプのようなGHzの範囲のワイドバンドの適用で、前陣RFの適用のために意図されているnpnのケイ素の平面のエピタキシアル トランジスターである。トランジスターはプラスチックSOT23封筒で内部に閉じ込められる
限界値
絶対最高システム（IEC 134）に従って。
| 記号 | 変数 | 条件 | MIN. | MAX. | 単位 |
| VCBO | collector-base電圧 | 開いたエミッター | − | 20 | V |
| VCES | collector-emitter電圧 | RBE = 0 | − | 15 | V |
| VEBO | emitter-base電圧 | 開いたコレクター | − | 2.5 | V |
| C DC | コレクター流れ | − | 70 | mA | |
| Ptot | 全体の電力損失 | までTS = 97 °C; ノート1 | − | 300 | MW |
| Tstg | 保管温度 | −65 | 150 | °C |
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標準的:
MOQ:
20pcs