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NPNの一般目的のトランジスターBC848B

メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 100MHz 200 mW Surface Mount SOT-23
部門:
電子ICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector current:
100mA
ピーク コレクター流れ:
200mA
Peak base current:
200mA
Total power dissipation:
250mW
接合部温度:
150°C
Storage temperature:
-65 to +150°C
ハイライト:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

導入

特徴

• 低い現在(最高。100 mA)。

• 低電圧(最高。65 V)。

絶対最高評価Ta = 25°C

変数 記号 BC846 BC847 BC848 単位
Collector-base電圧 VCBO 80 50 30 V
Collector-emitter電圧 VCEO 65 45 30 V
Emitter-base電圧 VEBO 6 6 5 V
コレクター流れ IC 100 mA
ピーク コレクター流れ ICM 200 mA
ピーク基礎流れ IBM 200 mA
全体の電力損失* Ptot 250 MW
接合部温度 Tj 150 °C
保管温度 Tstg -65から+150 °C
作動の周囲温度 Ramb -65から+150 °C
接続点からの包囲されたへの熱抵抗* Rthのj-a 500 K/W

*トランジスターはFR4プリント回路板、標準的な足跡に取付けた。

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