MJE15032G MJE15033G力Mosfetのトランジスター補足力mosfet
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターNPN 250 V8穴TO-220を通した30MHz 50 W
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-emitter電圧:
250 Vdc
コレクターBsaeの電圧:
250 Vdc
エミッターBsaeの電圧:
5.0 Vdc
Bsaeの流れ:
2.0 Adc
作動の接合部温度:
-65から+150 ℃
保管温度:
-65から+150 ℃
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| BCX71G | 48000 | フェアチャイルド | 15+ | SOT-23 |
| UC3842 | 49825 | 16+ | DIP-8 | |
| 2SA1774TLR | 50000 | ROHM | 16+ | SOT23-3 |
| 2SC3355 | 50000 | NEC | 14+ | TO-92 |
| FDN338P | 50000 | FSC | 14+ | SOT-23 |
| KIA78L08 | 50000 | KEC | 14+ | SOT89 |
| SS13 | 50000 | VISHAY | 16+ | SMA |
| MBT2907ALT1G | 51200 | 16+ | SOT-23 | |
| BAV70 | 52000 | 13+ | SOT23 | |
| SK16 | 52000 | MOSPEC | 15+ | SMA |
| UMX1N | 60000 | ROHM | 16+ | SOT363 |
| NJM4558D-#ZZZB | 70000 | JRC | 16+ | DIP8 |
| 2SA1586-GR | 78000 | 東芝 | 14+ | SOT-323 |
| SMBJ18A | 88000 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
| UC3842BD1013TR | 90000 | ST | 14+ | SOP8 |
| FR607 | 98000 | MIC | 16+ | R-6 |
| BC857BLT1G | 99000 | 16+ | SOT-23 | |
| 78L05 | 100000 | チタニウム | 13+ | TO92 |
| AP8022 | 100000 | CHIPOWN | 15+ | DIP-8 |
| SMBJ12CA | 101000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| BC847BLT1G | 117000 | 16+ | SOT-23 | |
| BAT54A | 6000 | 14+ | SOT-23 | |
| 2N7002P | 3000 | 14+ | STO-23 | |
| AD9957BSVZ | 2010年 | ADI | 14+ | QFP |
| BY500-800 | 2015年 | VISHAY | 16+ | DO-201 |
| LM311P | 2020年 | チタニウム | 16+ | DIP8 |
| XC5VSX95T-1FFG1136C | 525 | XILINX | 13+ | BGA |
| XC5VSX95T-1FFG1136I | 530 | XILINX | 15+ | BGA |
| AD9958BCPZ | 2035年 | 広告 | 16+ | BGA |
| BD237 | 2040年 | 16+ | すくい |
MJE15032 （NPN）、MJE15033 （PNP）
補足のケイ素のプラスチック力トランジスター
8.0アンペアは250ボルト、50ワット トランジスター補足のケイ素に動力を与える
オーディオ・アンプのhigh−frequencyの運転者として使用のために設計されている。
特徴
•DCの現在の利益は5.0アンペアに指定した
hFE = 70 （分） @ IC = 0.5 Adc
= 10 （分） @ IC = 2.0 Adc
•Collector−Emitterの支える電圧
− VCEO （SU） = − 250 Vdc （分）のMJE15032、MJE15033
•高い現在の利益−の帯域幅プロダクト
fT = 30のMHz （分） @ IC = 500 mAdc
•TO−220ABのコンパクトのパッケージ
•エポキシの大会UL 94 V−0 @ 0.125 inに
•ESDの評価:機械モデルC
人体モデル3B
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
最高の評価
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評価 |
記号 |
価値 |
単位 |
|
Collector-Emitter電圧 |
VCEO |
250 |
Vdc |
|
コレクターBsaeの電圧 |
VCB |
250 |
Vdc |
|
エミッターBsaeの電圧 |
VEB |
5.0 |
Vdc |
|
連続的なコレクター流れ- -ピーク |
IC |
8.0 16 |
Adc |
|
Bsaeの流れ |
IB |
2.0 |
Adc |
|
全体の電力損失@TC=25℃ 25℃の上で軽減しなさい |
PD |
50 0.40 |
W With℃ |
|
全体の電力損失@TA=25℃ 25℃の上で軽減しなさい |
PD |
2.0 0.016 |
W With℃ |
|
貯蔵および作動の接合部温度の範囲 |
TJ、TSTG |
-65から+150 |
℃ |
パッケージ次元
TO−220
場合221A−09
問題AA
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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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標準的:
MOQ:
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