PBSS4112PANPの115力MosfetのトランジスターNPN/NPN低いVCEsat （BISS）トランジスター
multi emitter transistor
,silicon power transistors
PBSS4112PAN
120ボルト、1 NPN/NPN低いVCEsat （BISS）のトランジスター
概説
無鉛の中型力DFN2020-6 （SOT1118）表面取付けられた装置（SMD）プラスチック パッケージの小さい信号（BISS）のトランジスターのNPN/NPN低いVCEsatの進歩。NPN/PNPの補足物:PBSS4112PANP.PNP/PNPの補足物:PBSS5112PAP.
特徴および利点
•まさに低いcollector-emitterの飽和電圧VCEsat
•高いコレクター流れの機能ICおよびICM
•高いICの高いコレクターの現在の利益hFE
•減らされたプリント回路板（PCB）条件
•より少ない熱生成による高エネルギーの効率
•AEC-Q101は修飾した
適用
•負荷スイッチ
•電池主導の装置
•力管理
•充満回路
•電源スイッチ（例えばモーター、ファン）
限界値
絶対最高評価システム（IEC 60134）に従って。
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | 最高 | 単位 | |
| トランジスターごと | ||||||
| VCBO | collector-base電圧 | 開いたエミッター | - | 120 | V | |
| VCEO | collector-emitter電圧 | 開いた基盤 | - | 120 | V | |
| VEBO | emitter-base電圧 | 開いたコレクター | - | 7 | V | |
| IC | コレクター流れ | - | 1 | |||
| ICM | ピーク コレクター流れ | 単一の脈拍;TPの≤ 1氏 | - | 1.5 | ||
| IB | 基礎流れ | - | 0.3 | |||
| IBM | ピーク基礎流れ | 単一の脈拍;TPの≤ 1氏 | - | 1 | ||
| Ptot | 全体の電力損失 | Tambの≤ 25の°C |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
370 570 530 700 450 760 700 1450 |
MW MW MW MW MW MW MW MW |
| 装置ごと | ||||||
| Ptot | 全体の電力損失 | Tambの≤ 25の°C |
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] |
- - - - - - - - |
510 780 730 960 620 1040 960 2000年 |
MW MW MW MW MW MW MW MW |
| Tj | 接合部温度 | - | 150 | °C | ||
| Tamb | 周囲温度 | -55 | 150 | °C | ||
| Tstg | 保管温度 | -65 | 150 | °C | ||
[FR4 PCB、single-sided µmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡35に取付けられる1つの]装置。
[FR4 PCBに、スズメッキをされるsingle-sided 35のµmの銅のストリップ線路取付けられる2]装置コレクターのための据付パッド1つのcm2。
[4層PCB 35のµmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡に取付けられる3]装置。
[4層PCB 35のµmのスズメッキをされる銅のストリップ線路 コレクターのための据付パッドに取付けられる4]装置1つのcm2。
[FR4 PCB、single-sided µmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡70に取付けられる5]装置。
[FR4 PCBに、スズメッキをされるsingle-sided 70のµmの銅のストリップ線路取付けられる6]装置コレクターのための据付パッド1つのcm2。
[4層PCB 70のµmの銅のストリップ線路の、スズメッキをされたおよび標準足跡に取付けられる7]装置。
[4層PCB 70のµmのスズメッキをされる銅のストリップ線路 コレクターのための据付パッドに取付けられる8]装置1つのcm2。
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| SGM8922AYS8 | 5140 | SGM | 10+ | SOP-8 |
| SGM9119YS8 | 17690 | SGMICRO | 16+ | SOP-8 |
| SLG505YC256CT | 2330 | SILEGO | 14+ | SOP-8 |
| SI4416DY-T1-E3 | 17708 | SILICONIX | 05+ | SOP-8 |
| SP3072EEN-L/TR | 38004 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP485RCN-L | 14724 | SIPEX | 13+ | SOP-8 |
| SP485REN-L | 46500 | SIPEX | 16+ | SOP-8 |
| SP708SEN | 8240 | SIPEX | 16+ | SOP-8 |
| SM7523B | 47500 | SM | 16+ | SOP-8 |
| S25FL040A0LVFI003R | 38856 | SPANSION | 16+ | SOP-8 |
| S25FL164K0XMFI011 | 29532 | SPANSION | 15+ | SOP-8 |
| SST25LF020A-33-4C-SAE | 39140 | SST | 12+ | SOP-8 |
| SST25VF016B-50-4C-S2AF | 7084 | SST | 14+ | SOP-8 |
| SST25VF016B-50-4I-S2AF | 12564 | SST | 14+ | SOP-8 |
| SST25VF020-20-4I-SAE | 8532 | SST | 11+ | SOP-8 |
| SST25VF032B-80-4I-S2AF | 10142 | SST | 16+ | SOP-8 |
| SST25VF080B-50-4C-S2AF | 19348 | SST | 10+ | SOP-8 |
| SST25VF080B-80-4I-S2AF | 12578 | SST | 16+ | SOP-8 |
| SSRP130B1 | 39992 | ST | 13+ | SOP-8 |
| ST1S10PHR | 5256 | ST | 16+ | SOP-8 |
| ST3485EBDR | 14900 | ST | 10+ | SOP-8 |
| ST485EBDR | 31000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| ST922I | 40276 | ST | 16+ | SOP-8 |
| STM704SM6F | 6004 | ST | 16+ | SOP-8 |
| STS8DNF3LL | 14592 | ST | 04+ | SOP-8 |
| STS8DNH3LL | 17320 | ST | 10+ | SOP-8 |
| TDA2822D013TR | 17298 | ST | 09+ | SOP-8 |
| TJM4558CDT | 111000 | ST | 16+ | SOP-8 |
| TL061CDR | 15170 | ST | 16+ | SOP-8 |
| TL072CDR | 17186 | ST | 16+ | SOP-8 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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