MGW12N120D力MosfetのトランジスターはAnti-Parallelダイオードが付いているゲートの両極トランジスターを絶縁した
npn smd transistor
,silicon power transistors
Anti-Parallelダイオードが付いている絶縁されたゲートの両極トランジスター
N-Channel強化モード ケイ素 ゲート
TO-247のIGBT及びダイオード
12 A @ 90°C
20 A @ 25°C
1200ボルト
評価される短絡
この絶縁されたゲートの両極トランジスター（IGBT）は柔らかい回復超高速の整流器によって共同包まれ、高められ、信頼できる高い電圧妨害の機能を提供するのに高度終了の機構を使用する。短絡は運動制御ドライブのような時間に抗するように保証された短絡が要求する適用にIGBTをとりわけ適する評価した。速い転換の特徴は高周波で有効な操作で起因する。共同包まれたIGBTの保存スペースは、アセンブリー時およびコストを削減する。
•隔離された取り付け穴が付いている業界標準の高い発電TO-247のパッケージ
•高速Eoff:150か。125°Cで典型的なJ/A
•高い短絡の機能– 10か。sの最低
•柔らかい回復自由な回転ダイオードはパッケージに含まれている
•強い高圧終了
•強いRBSOA
最高の評価（通知がなければTJ = 25°C）
| 評価 | 記号 | 価値 | 単位 |
| Collector-Emitter電圧 | VCES | 1200 | Vdc |
| コレクター ゲートの電圧（RGE = 1.0 MΩ） | VCGR | 1200 | Vdc |
| ゲート エミッターの電圧—連続的 | VGE | ± 20 | Vdc |
|
コレクター流れ—連続的@ TC = 25°C —連続的@ TC = 90°C —反復的な脈打った現在の（1） |
IC25 IC90 ICM |
20 12 40 |
Vdc
Apk |
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全体の電力損失@ TC = 25°C 25°Cの上で軽減しなさい |
PD |
125 0.98 |
ワット With°C |
| 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | TJ、Tstg | – 55から150 | °C |
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短絡の抵抗の時間 （VCC = 720 Vdc、VGE = 15 Vdc、TJ = 125°C、RG = 20 Ω） |
TSC | 10 | か。μs |
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熱抵抗—– IGBTを包装する接続点 —–ダイオードを包装する接続点 —包囲されたへの接続点 |
RθJC RθJC RθJA |
1.0 1.4 45 |
°C/W |
| はんだ付けする目的のための最高の鉛の温度、5秒の言い分からの1/8の″ | TL | 260 | °C |
| トルク、6-32またはM3ねじを取付ける | 10 lbf*か。（1.13のNか。*m） | ||
（1）脈拍幅は最高の接合部温度によって限られる。反復的な評価。
パッケージ次元
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| L9616D | 3785 | ST | 15+ | SOP8 |
| LM7818CT | 7181 | NSC | 14+ | TO-220 |
| 2MBI100N-060 | 418 | 富士 | 12+ | モジュール |
| PMBS3904 | 60000 | 14+ | SOT-23 | |
| MT41K128M16JT-125:K | 7044 | ミクロン | 14+ | BGA |
| P80C31BH-1 | 9620 | INTEL | 16+ | すくい |
| LXT906PC | 4933 | LEVELONE | 16+ | PLCC |
| LTC3440EMS | 6740 | LT | 16+ | MSOP |
| MAX3232EIPWR | 11650 | チタニウム | 14+ | TSSOP |
| BTA24-600BW | 10000 | ST | 15+ | TO-220 |
| MSP430G2231IPW14R | 6841 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
| MJF15031G | 86000 | 16+ | TO-220 | |
| MC7805ABD2TR4G | 4072 | 14+ | TO-263 | |
| MCP73871-2CCI/ML | 5626 | マイクロチップ | 16+ | QFN |
| MCP1702-5002E/TO | 5050 | マイクロチップ | 16+ | TO-92 |
| NCT3941S-A | 14560 | NUVOTON | 11+ | SOP-8 |
| LM308H | 500 | NSC | 11+ | CAN-8 |
| M27256-2F1 | 4179 | ST | 16+ | すくい |
| LM75AD | 5432 | 14+ | SOP-8 | |
| MAX6369KA+T | 4625 | 格言 | 14+ | SOT |
| PIC16F76T-I/SO | 4988 | マイクロチップ | 14+ | SOP |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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