メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > 2SC2482 TO-92のプラスチック パッケージのトランジスター(NPN)、Npnの一般目的のトランジスター

2SC2482 TO-92のプラスチック パッケージのトランジスター(NPN)、Npnの一般目的のトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-Base電圧:
300V
Collector-emitter voltage:
300 V
Emitter-base voltage:
7 V
Collector current:
100 mA
Base current:
50 mA
Junction temperature:
150 °C
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ(PCTプロセス) 2SC2482

高圧切換えおよびアンプの適用

色TVの横の運転者の塗布

色TVの彩度の出力塗布

•高い絶縁破壊電圧:VCEO = 300ボルト

•小さいコレクターの出力キャパシタンス:穂軸= 3.0 pF (タイプ。)

•横のライン作動させたTVの彩度の出力および運転者の塗布のために推薦される。

絶対最高評価(Ta = 25°C)

特徴 記号 評価 単位
Collector-base電圧 VCBO 300 V
Collector-emitter電圧 VCEO 300 V
Emitter-base電圧 VEBO 7 V
コレクター流れ IC 100 mA
基礎流れ IB 50 mA
コレクターの電力損失 PC 900 MW
接合部温度 Tj 150 °C
保管温度の範囲 Tstg 150への−55 °C

注:絶えずを使用して重負荷(例えば温度、等の高温の適用作動条件(すなわち実用温度/現在/電圧、等)が絶対最高評価の内にあっても/現在/電圧および重要な変更)の下でこのプロダクトを信頼性でかなり減るためにもたらすかもしれない。

東芝の半導体の信頼性の手引(「注意」/Derating概念および方法扱う)および個々の信頼性データ(すなわち信頼度試験のレポートおよび推定故障率、等)見直した上で適切な信頼性を設計し。

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ

SSM2143PZ 1967年 ADI 14+ DIP-8
U6043B 27600 ATMEL 13+ DIP-8
S210 31000 フェアチャイルド 15+ DIP-8
SG6846LDZ 7952 フェアチャイルド 16+ DIP-8
TDA16833 9248 INF 16+ DIP-8
ICE3B0365 17518 16+ DIP-8
TDA4605-3 5668 INFNEON 13+ DIP-8
HA7-5147-2 29484 INTERSIL 09+ DIP-8
TC428CPA 15000 マイクロチップ 16+ DIP-8
TC4423CPA 11472 マイクロチップ 13+ DIP-8
TC4423EPA 15054 マイクロチップ 16+ DIP-8
TC4424CPA 26736 マイクロチップ 14+ DIP-8
TC4427CPA 10700 マイクロチップ 13+ DIP-8
TC7660CPA 8356 マイクロチップ 11+ DIP-8
PS9631 31756 NEC 16+ DIP-8
UPC1251C 9392 NEC 16+ DIP-8
UPC1458C 3226 NEC 15+ DIP-8
UPC157C 15420 NEC 13+ DIP-8
UPC1701C 1292 NEC 14+ DIP-8
UPC301AC 32324 NEC 02+ DIP-8
UPC311C 11754 NEC 13+ DIP-8
UPC393C 11732 NEC 16+ DIP-8
UPC4082C 28356 NEC 15+ DIP-8
TDA8551 4360 03+ DIP-8
TEA1523P 10172 04+ DIP-8
TEA1523P/N2 28608 16+ DIP-8
TEA1620P 6852 14+ DIP-8
TEA1733P/N1 33176 16+ DIP-8
UAA2016PG 26088 16+ DIP-8
UC3843BN 12974 16+ DIP-8

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
10pcs