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IRFZ34NPBF力Mosfetのトランジスター電気IC HEXFET力MOSFET

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 55 V 29A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Pulsed Drain Current:
100 A
Power Dissipation:
68 W
Linear Derating Factor:
0.45 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
65 mJ
Avalanche Current:
16 A
ハイライト:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

導入

IRFZ34NPbF

HEXFET®力MOSFET

か。• 高度プロセス

か。•技術か。超低いオン抵抗か。

か。•動的dv/dtの評価か。

か。•175°C実用温度か。

か。•速い切換えか。

か。•平行になる容易さ

か。•無鉛

記述

国際的な整流器からの第5世代HEXFETsはケイ素区域ごとの最も低く可能なオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な装置を、デザイナーに与える。

TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。

絶対最高評価

変数 最高。 単位
ID @ TC = 25°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 29
ID @ TC = 100°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 20
IDM 脈打った下水管の流れ 100
PD @TC = 25°C 電力損失 68 W
線形軽減の要因 0.45 With°C
VGS ゲートに源の電圧 ± 20 V
EAS 単一の脈拍のなだれエネルギー 65 mJ
IAR なだれの流れ 16
反復的ななだれエネルギー 6.8 mJ
dv/dt ピーク ダイオードの回復dv/dtか。 5.0 V/ns
TJ TSTG 作動の接続点および保管温度の範囲 -55に+ 175 °C
10秒のはんだ付けする温度、 300 (場合からの1.6mm) °C
トルク、6-32またはM3 srewを取付ける 10のlbf•(1.1N•m)

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
MAX705EPA 4111 格言 16+ すくい
VIPER28LN 4111 ST 16+ DIP-7
ULN2003AN 4112 チタニウム 13+ DIP16
CPC5710NTR 4120 CLAREC 15+ SOP8
IS62WV5128BLL-55HLI 4120 ISSI 16+ TSOP
SUD25N06-45L 4120 VISHAY 16+ TO-252
TLP281-4 4120 東芝 14+ SOP-16
NCP1117 4125 14+ SOT-223
ULN2803 4178 TOS 14+ すくい
1N4007 40000 MIC 16+ DO-41
A03400A 4200 AOS 16+ SOT-23
AP85T03GH 4200 APEC 13+ TO-252
BCX51-10 4200 15+ SOT-89
BT139X-600E 4200 16+ TO-220F
HD74LS151P 4200 当りなさい 16+ すくい
IRF9Z24NPBF 4200 IR 14+ TO-220
LM5007MM 4200 NS 14+ MSOP8
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TLP161G 4210 東芝 16+ SOP4
GP1A52HRJ00F 4211 シャープ 16+ すくい
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