メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > IRFB4229PBF力MosfetモジュールPDPスイッチN-Channel MOSFETのトランジスター

IRFB4229PBF力MosfetモジュールPDPスイッチN-Channel MOSFETのトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Gate-to-Source Voltage:
±30 V
Pulsed Drain Current:
180 A
Repetitive Peak Current:
91 A
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Operating Junction and Storage Temperature:
-40 to + 175°C
Soldering Temperature for 10 seconds:
300°C
ハイライト:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

導入

PDPスイッチIRFB4229PbF

か。か。か。か。か。か。か。

特徴か。

• 高度の加工技術か。

•PDPのために最大限に活用される主変数はスイッチ塗布支え、エネルギー回収、そしてパスか。

•PDPの電力損失を減らす低いEPULSEの評価は支える、

エネルギー回収およびパス スイッチ塗布か。

•速い応答のための低いQGか。

•信頼できる操作のための高く反復的なピーク電流の機能か。

•速い切換えのための短い落下及び上昇時間か。

•175°C改善された険しさのための作動の接合部温度か。

•強さおよび信頼性のための反復的ななだれの機能

主変数

VDS分 250 V
VDS (なだれ)のタイプ。 300 V
RDSの()タイプ。@ 10V 38
最高IRP @ TC = 100°C 91
最高TJ 175 °C

記述か。か。か。

このHEXFET®力MOSFETはSustainのためにとりわけ設計されている;プラズマ・ディスプレイのパネルのエネルギー回収及びパス スイッチ塗布。このMOSFETはケイ素区域ごとの低いオン抵抗および低いEPULSEの評価を達成するのに最も最近の加工の技巧を利用する。このMOSFETの付加的な特徴は175°C作動の接合部温度および高く反復的なピーク電流の機能である。これらの特徴はこのMOSFETに適用を運転するPDPのための非常に能率的で、強い信頼できる装置を作るために結合する。

絶対最高評価

変数 最高。 単位
VGS ゲートに源の電圧 ±30 V
ID @ TC = 25°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 46
ID @ TC = 100°C 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V 33
IDM 脈打った下水管の流れ 180
IRP @ TC = 100°C 反復的なピーク電流か。 91
PD @TC = 25°C 電力損失 330 W
PD @TC = 100°C 電力損失 190 W
線形軽減の要因 2.2 With°C
TJ TSTG 作動の接続点および保管温度の範囲 -40に+ 175 °C
10秒のはんだ付けする温度 300 °C
トルク、6-32またはM3ねじを取付ける 10lbin (1.1Nm) N

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
HIP4080AIBZT 3925 INTERSIL 15+ SOP
TNY266PN 3970 16+ DIP7
LM7912CT 3990 NS 16+ TO-220
HCNW4503 3991 AVAGO 14+ SOP8DIP8
ICL7650SCBA 3996 INTERSIL 14+ SOP-8
LM2575HVT-ADJ 3997 NS 14+ TO-220
MUR3020PT 3997 16+ TO-3P
IRFR5305 3998 IR 16+ TO-252
MJ802 3998 13+ TO-3
LBAT54XV2T1G 3999 15+ SOD-523
VN10LFTA 3999 ZETEX 16+ SOT23
1N5341B 4000 16+ CASE17
1N5343B 4000 14+ DO-02
2SC2383 4000 東芝 14+ TO-92
2SC3807 4000 鳥取三洋電機 14+ TO-126
2SK170BL 4000 東芝 16+ TO-92
74HC174D 4000 16+ SOP-16
74LVC245AD 4000 13+ SOP
AD8572ARZ 4000 広告 15+ SOP8
AT24C512C-SSHD-T 4000 ATEML 16+ SOP8
BCV48 4000 16+ SOT-89
BD137 4000 ST 14+ TO-126
BTS721L1 4000 14+ SOP-20
CD4027BE 4000 チタニウム 14+ すくい
CPC1017N 4000 ドクレア 16+ SOP4
IRF7307 4000 IR 16+ SOP8
IRFR210 4000 IR 13+ SOT-252
LT1963AEST-3.3 4000 LT 15+ SOT-223
MIC4424BN 4000 MICREL 16+ DIP8
MICROSMD050F-2 4000 TYCO 16+ SMD

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs