BTA24-600BWRG力mosfetモジュール25標準およびSnubberlessのトライアック
multi emitter transistor
,silicon power transistors
BTA24、BTB24、BTA25
BTA26、BTB26、T25
特徴
■高い現在のトライアック
■クリップ結合の低い熱抵抗
■高い代わり(4つの象限儀)または非常に高い代わり(3つの象限儀)の機能
■証明されるBTAシリーズUL1557 (ファイルref:81734)
■パッケージは迎合的なRoHS (2002/95/EC)である
適用
適用は静的なリレー、暖房の規則、回路を、等始める、誘導電動機のようなまたは軽い調光器の位相制御操作のための適用にオン/オフ機能を、モータ速度のコントローラー、そしてsilmilar含める。
snubberless版(BTA/BTB… WおよびT25シリーズ)は誘導負荷の使用のために特に、高い代わりの性能が原因で推薦される。BTAシリーズは絶縁されたタブを提供する(2500 VRMSで評価される)。
記述
によ穴または表面台紙のパッケージ、BTA24、BTB24、BTA25、BTA26、BTB26およびT25トライアック シリーズで利用できる一般目的の主力AC切換えのために適している。
絶対最高評価
記号 | 変数 | 価値 | 単位 | ||
---|---|---|---|---|---|
IT (RMS) | RMSのオン州の流れ(完全な正弦波) | TOP3 | Tc = 105°C | 25 | |
D2朴/TO-220AB | Tc = 100°C | ||||
RD91 Ins/TOP3 Ins。 | Tc = 100°C | ||||
TO-220AB Ins。 | Tc = 75°C | ||||
ITSM | 非反復的なサージのピーク オン州の流れ(完全な周期、最初のTj = 25° C) | F = 50のHz | t = 20氏 | 250 | |
F = 60のHz | t = 16.7の氏 | 260 | |||
Iの² t | 私溶解のための² tの価値 | TP = 10氏 | 340 | ² s | |
dI/dt |
オン州の流れの上昇の重大な率 IG = 2 x IGTのtrの≤ 100 ns |
F = 120のHz | Tj = 125°C | 50 | A/µs |
VDSM/VRSM | 非反復的なサージのピークのオフ状態の電圧 | TP = 10氏 | Tj = 25°C | VDRM/VRRM + 100 | V |
IGM | ピーク ゲートの流れ | TP = 20のµs | Tj = 125°C | 4 | |
ページ(AV) | 平均ゲートの電力損失 | Tj = 125°C | 1 | W | |
Tstg Tj |
貯蔵の接合部温度の範囲 作動の接合部温度の範囲 |
- 40への+ 150 - 40への+ 125 |
°C |
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
HD74LS86 | 771 | 日立 | 13+ | DIP14 |
MID400 | 771 | フェアチャイルド | 15+ | SOP8 |
PIC16F876A-I/SO | 771 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
J0026D01BNL | 777 | 脈拍 | 16+ | RJ45 |
AF4502C | 780 | ANACHIP | 14+ | SOP-8 |
ACS712ELCTR-20A | 782 | アレグロ | 14+ | SOP |
IRF520 | 782 | IR | 14+ | TO-220 |
IRFB4710 | 782 | IR | 16+ | TO-220 |
CD4099BE | 785 | チタニウム | 16+ | すくい |
ENC28J60-I/SO | 785 | マイクロチップ | 13+ | SOP |
BTA41-800B | 795 | ST | 15+ | TO-3P |
PIC16F883-I/SO | 799 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
2SD1406-Y | 800 | TOS | 16+ | TO-3P |
TOP414GN | 800 | 力 | 14+ | SOP-8 |
TDA7253 | 802 | ST | 14+ | ジッパー |
L4960 | 822 | ST | 14+ | ジッパー |
STPS1045D | 822 | ST | 16+ | TO-220 |
AP919 | 881 | 原子価 | 16+ | TQFP |
ADC0804 | 887 | NS | 13+ | SOP |
AM26LV31CDR | 888 | チタニウム | 15+ | SOP-16 |
EPM2210F324I5N | 888 | ALTERA | 16+ | BGA |
LTC1628IG | 888 | 線形 | 16+ | SSOP |
CD4012BE | 899 | チタニウム | 14+ | すくい |
G4PC30UD | 900 | IR | 14+ | TO-3P |
PT2272-M6 | 900 | PTC | 14+ | すくい |
RHRP30120 | 900 | フェアチャイルド | 16+ | TO-220 |
MP4211 | 910 | 東芝 | 16+ | NA |
AD7740YRMZ | 911 | 広告 | 13+ | MSOP-8 |
FOD260L | 922 | FSC | 15+ | DIP-8 |
PIC16F916-I/SP | 922 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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