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新しい及び元の力Mosfetのトランジスター（−100V、−2A） 2SB1316

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Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 2 A 50MHz 10 W Surface Mount CPT3
2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

2N7002LT1G力mosfet IC力Mosfetのトランジスター小さい信号MOSFET 60 V、115 mA、N−Channel SOT−23

N-Channel 60 V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
STD60NF55LT4 N-channel 55V - 0.012のヘ- 60A - DPAK/IPAK力MOSFET

STD60NF55LT4 N-channel 55V - 0.012のヘ- 60A - DPAK/IPAK力MOSFET

N-Channel 55 V 60A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
BC856B SMDの一般目的のトランジスター（PNP）低い電力mosfet高圧力mosfet

BC856B SMDの一般目的のトランジスター（PNP）低い電力mosfet高圧力mosfet

Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 100 mA 150MHz 350 mW Surface Mount SOT-23
T410-600B-TRのトライアックの敏感なゲートの電子工学の集積回路はMosfetのトランジスター4Aトライアックに動力を与える

T410-600B-TRのトライアックの敏感なゲートの電子工学の集積回路はMosfetのトランジスター4Aトライアックに動力を与える

TRIAC Logic - Sensitive Gate 600 V 4 A Surface Mount DPAK
2SA950-Y可聴周波力mosfet力MosfetのトランジスターPNPプラスチック内部に閉じ込められたトランジスター

2SA950-Y可聴周波力mosfet力MosfetのトランジスターPNPプラスチック内部に閉じ込められたトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 800 mA 120MHz 600 mW Through Hole TO-92
2SC2229-Y力mosfet IC力Mosfetのトランジスター ケイ素NPNの三倍によって拡散させるタイプ（PCTプロセス）

2SC2229-Y力mosfet IC力Mosfetのトランジスター ケイ素NPNの三倍によって拡散させるタイプ（PCTプロセス）

Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 mW Through Hole TO-92MOD
ZHCS1000TAの表面の台紙のショットキー障壁の整流器ダイオード 集積回路の破片

ZHCS1000TAの表面の台紙のショットキー障壁の整流器ダイオード 集積回路の破片

Diode 40 V 1A Surface Mount SOT-23-3
フォトトランジスターの出力自動電圧調整器が付いているTCLT1003オプトカプラー整流器ダイオード

フォトトランジスターの出力自動電圧調整器が付いているTCLT1003オプトカプラー整流器ダイオード

Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SOP
S1M-E3/61Tの表面の台紙ガラスは整流器橋タイプ整流器ダイオードを不動態化した

S1M-E3/61Tの表面の台紙ガラスは整流器橋タイプ整流器ダイオードを不動態化した

Diode 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
イメージ部分#記述メーカー標準的RFQ
NC7SZ05M5XD TinyLogic UHSインバーター開いた下水管は電子ICの破片を出力した

NC7SZ05M5XD TinyLogic UHSインバーター開いた下水管は電子ICの破片を出力した
60 61 62 63 64
お問い合わせ
住所: ルーム 1204、DingCheng International Building、518028 Futian District、SHENZHEN、CN
電子メール: sales@cmhk-ic.com
電話: 86-755-88367702
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