新しい及び元の力Mosfetのトランジスター（−100V、−2A） 2SB1316
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン100ボルト2 50MHz 10 Wの表面の台紙CPT3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector-Base電圧:
-100 V
Collector-emitter電圧:
-100 V
Emitter-base電圧:
- 8ボルト
接合部温度:
150°C
保管温度:
-55 +150°Cに
コレクター流れ:
-2 A （DC）
ハイライト:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
導入
力トランジスター（−100V、−2A） 2SB1580/2SB1316
特徴
1) 高いDCの現在の利益のためのダーリントンの関係。
2) 基盤とエミッター間の作り付けの抵抗器。
3) 作り付けのより湿気があるダイオード。
4) 2SD2195/2SD1980を補足する。
外のり寸法（単位:mm）
絶対最高評価（Ta = 25°C）
| 変数 | 記号 | 限界 | 単位 | |
| Collector-base電圧 | VCBO | -100 | V | |
| Collector-emitter電圧 | VCEO | -100 | V | |
| Emitter-base電圧 | VEBO | -8 | V | |
| コレクター流れ | IC | -2 | （DC） | |
| -3 | A （脈拍） ∗1 | |||
| コレクターの電力損失 | 2SB1580 | PC | 2 | W ∗2 |
| 2SB1316 | 1 | |||
| 10 | W （Tc=25°C） | |||
| 接合部温度 | Tj | 150 | °C | |
| 保管温度 | Tstg | -55から+150 | °C | |
∗1単一の脈拍Pw=100ms
場合の40 x 40 x 0.7 mm陶磁器板に取付けた∗2。
包装の指定およびhFE
| タイプ | 2SB1580 | 2SB1316 |
| パッケージ | MPT3 | CPT3 |
| hFE | 1kへの10k | 1kへの10k |
| 印 | BN∗ | -- |
| コード | T100 | TL |
| 基本的な命令の単位（部分） | 1000 | 2500 |
∗はhFEを表示する
電気特性曲線
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標準的:
MOQ:
10pcs