2SA950-Y可聴周波力mosfet力MosfetのトランジスターPNPプラスチック内部に閉じ込められたトランジスター
指定
基礎電圧へのコレクター:
-35 V
エミッターの電圧へのコレクター:
-30 V
基礎電圧へのエミッター:
-5 V
連続的なコレクター流れ-:
-0.8 A
コレクターの電力損失:
600 MW
接続点、保管温度:
150の-55~150 °C
ハイライト:
power mosfet ic
,silicon power transistors
導入
2SA950
-0.8A、-35V
PNPのプラスチック内部に閉じ込められたトランジスター
特徴
* 1W出力塗布
* 2SC2120に補足
hFE (1)の分類
プロダクト ランク | 2SA950-O | 2SA950-Y |
範囲 | 100-200 | 160-320 |
絶対最高評価(TA = 25°C他に特に規定がなければ)
変数 | 記号 | 評価 | 単位 |
基礎電圧へのコレクター | VCBO | -35 | V |
エミッターの電圧へのコレクター | VCEO | -30 | V |
基礎電圧へのエミッター | VEBO | -5 | V |
連続的なコレクター流れ- | IC | -0.8 | |
コレクターの電力損失 | PC | 600 | MW |
接続点、保管温度 | TJ、TSTG | 150、-55~150 | °C |
TO-92
特性曲線
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
MSZ5234BT1G | 120000 | 16+ | SOD-123 | |
MT47H32M16HR-25E:G | 2300 | ミクロン | 16+ | BGA |
NZF220TT1 | 2000年 | 13+ | NA | |
88E1111-B2-BAB1C000 | 380 | MARVELL | 15+ | GBA |
LTC1734ES6-4.1 | 3000 | リンター | 16+ | SOT236 |
P6KE15A | 20000 | VISHAY | 16+ | DO-15 |
XC6SLX100-3FGG484C | 305 | XILINX | 16+ | BGA |
88E1111-B2-BAB1I000 | 2500 | MARVELL | 14+ | BGA |
LMSZ5226BT1G | 2500 | 14+ | SOD-123 | |
TMS320F28335PGFA | 1225 | チタニウム | 16+ | LQFP-176 |
PIC18F8722-I/PT | 2700 | マイクロチップ | 16+ | QFP |
AD633JNZ | 1200 | ADI | 13+ | すくい |
ICL7106CPL | 3000 | INTERSIL | 15+ | すくい |
ES1D | 33000 | VISHAY | 16+ | DO-214AC |
MPX5010DP | 3500 | FREESCAL | 16+ | SIP-6 |
LPC2368FBD100 | 1080 | 14+ | QFP | |
AD704JN | 1480 | 広告 | 14+ | すくい |
2SK682 | 1503 | 当りなさい | 14+ | TO-3P |
M48Z08-100PC1 | 1526 | ST | 16+ | すくい |
XC3S50AN-4TQG144I | 549 | XILINX | 16+ | QFP |
SI7454 | 1572 | VISHAY | 13+ | QFN |
2SC4116-GR | 1595 | 東芝 | 15+ | SOT323 |
TOP249YN | 1618 | 力 | 16+ | TO-220-6 |
ADS1232IPW | 1641 | チタニウム | 16+ | TSSOP24 |
EP3C25E144C8N | 1664 | ALTERA | 14+ | TQFP |
TMPN3150 | 1687 | 東芝 | 14+ | QFP64 |
XC9572XL-10TQG100C | 510 | XILINX | 14+ | TQFP |
MTD1375F | 1733 | SHINDENGE | 16+ | HSOP28 |
CMX865AD4 | 1756 | CML | 16+ | SOP16 |
LT3756EMSE-2 | 1779 | LT | 13+ | MSOP |
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イメージ | 部分# | 記述 | |
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