2SC4793 （F補足トランジスター力の運転者段階のアンプの塗布M） A1837に
メーカー:
製造者
記述:
両極（BJT）トランジスターNPN 230 V 1穴TO-220NISを通した100MHz 2 W
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
VCBO:
-230 V
VCEO:
−230 V
VEBO:
−5 V
IC:
−1 A
IB:
−0.1 A
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
東芝のトランジスター ケイ素PNPのエピタキシアル タイプ
電力増幅器の塗布
運転者段階のアンプの塗布
•高い転移の頻度:fT = 70のMHz （タイプ。）
•2SC4793に補足
注:
絶えずを使用して重負荷（例えば温度、等の高温の適用作動条件（すなわち実用温度/現在/電圧、等）が絶対最高評価の内にあっても/現在/電圧および重要な変更）の下でこのプロダクトを信頼性でかなり減るためにもたらすかもしれない。東芝の半導体の信頼性の手引（「注意」/Derating概念および方法扱う）および個々の信頼性データ（すなわち信頼度試験のレポートおよび推定故障率、等）見直した上で適切な信頼性を設計し。
絶対最高評価（Tc = 25°C）
| 特徴 | 記号 | 評価 | 単位 |
| Collector-base電圧 | VCBO | −230 | V |
| Collector-emitter電圧 | VCEO | −230 | V |
| Emitter-base電圧 | VEBO | −5 | V |
| コレクター流れ | IC | −1 | |
| 基礎流れ | IB | -0.1 | |
|
コレクターの電力損失 Ta = 25°C Tc = 25°C |
PC | 2.0 | W |
| 20 | |||
| 接合部温度 | Tj | 150 | °C |
| 保管温度の範囲 | Tstg | 150への−55 | °C |
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MOQ:
20pcs