MBRS1100T3Gの整流器ダイオードのショットキー力の整流器の表面の台紙
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
MBRS1100T3、MBRS190T3
ショットキー力の整流器
表面の台紙力のパッケージ
1.0アンペア
90、100ボルト
ショットキー力の整流器は大きい区域の金属にケイ素力のダイオードのショットキー障壁の主義の使用を用いる。最新式の幾何学は酸化物の不動態化および金属の上敷の接触が付いているエピタキシアル構造を特色にする。理想的には低電圧、高周波改正に、または小型および重量がシステムに重大である表面の台紙の塗布の自由な回転および極性の保護ダイオードとして、適されて。これらの最新式装置は次の特徴を備えている:
特徴
•Pb−Freeのパッケージは利用できる
•Jくねりの鉛が付いている小さい密集した表面の取付け可能なパッケージ
•自動化された処理のための長方形のパッケージ
•非常に安定した酸化物によって不動態化される接続点
•高い妨害電圧− 100ボルト
•175°C作動の接合部温度
•圧力の保護のためのGuardring
機械特徴
•場合:エポキシ、形成される
•重量:95 mg (およそ)
•終わり:すべての外面は防蝕浮上し、末端の鉛は容易にSolderableである
•はんだ付けする目的のための鉛および取付けの表面温度:最高260°C。10秒のため
•12のmmのテープおよび巻き枠で出荷される、巻き枠ごとの2500単位
•陰極の極性バンド
最高の評価
評価 | 記号 | 価値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|
ピーク反復的な逆電圧 働くピーク逆電圧 DCの妨害電圧 |
MBRS190T3 |
VRRM VRWM VR |
90 |
V |
MBRS1100T3 | 100 | |||
平均によって調整される前方流れ |
TL = 163°C | (AV) | 1.0 | |
TL = 148°C | 2.0 | |||
Non−Repetitiveのピークのサージ電流 (定格負荷の状態の半波、単一フェーズ、60のHzに加えられるサージ) |
IFSM | 50 | ||
作動の接合部温度(ノート1) | TJ | +175への−65 | °C | |
電圧変化率 | dv/dt | 10 | V/ns |
最高の評価を超過する圧力は装置を損なうかもしれない。最高の評価は圧力の評価だけである。推薦された作動条件の上の機能操作は意味されない。推薦された作動条件の上の圧力への拡張された露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
1. 発生する熱はJunction−to−Ambientからの熱伝導性よりより少しでなければならない:dPD/dTJ < 1="">
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
NL17SZ06 | 4500 | 13+ | SOT553 | |
Q6040K7 | 4500 | LITTELFUS | 15+ | TO-3P |
STM8324 | 4500 | SAMHOP | 16+ | SOP8 |
TDA2050 | 4500 | ST | 16+ | ジッパー |
IRF7105 | 4510 | IR | 14+ | SOP8 |
DB104 | 4511 | COMON | 14+ | DIP-4 |
AT24C02 | 4520 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
L7806 | 4520 | ST | 16+ | TO-220 |
LM3915N-1 | 4520 | NS | 16+ | DIP18 |
UC3525BN | 4520 | チタニウム | 13+ | DIP-16 |
CA741CE | 4522 | ハリス | 15+ | すくい |
OP2177ARZ | 4522 | 広告 | 16+ | SOP8 |
X5043PI | 4522 | INTERSIL | 16+ | DIP8 |
DS1302Z | 4567 | 格言 | 14+ | SOP8 |
LT1248CN | 4580 | LT | 14+ | すくい |
TNY276GN | 4580 | 力 | 14+ | SOP-7 |
BT151-650R | 4600 | 16+ | TO-220 | |
FQA24N60 | 4600 | フェアチャイルド | 16+ | TO-247 |
MIC29502BU | 4600 | MIC | 13+ | TO-263 |
MIC29302WU | 4700 | MICREL | 15+ | TO-263 |
NCP2820FCT1G | 4700 | 16+ | QFN | |
SN74LVC1G175DCKR | 4700 | チタニウム | 16+ | SC70-6 |
H11L1SM | 4710 | フェアチャイルド | 14+ | SOP8 |
TA8276HQ | 4710 | 東芝 | 14+ | ZIP-25 |
FM24CL64-G | 4711 | RAMTRON | 14+ | SOP8 |
GT50J101 | 4711 | 東芝 | 16+ | TO-3PL |
RCLAMP0524P | 4711 | SEMTECH | 16+ | QFN |
L6208PD | 4712 | ST | 13+ | HSSOP |
FOD817 | 4720 | フェアチャイルド | 15+ | SOP4 |
IRF9530 | 4744 | IR | 16+ | TO-220 |

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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![]() |
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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