フィルター
フィルター
電子ICの破片
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
52991-0708積み重ね高さは回路のサイズ版、電子工学ICの破片を下げる |
70の位置のコネクターの容器、中心のストリップの接触表面の台紙の金
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BUK7611-55Bの118 IC TRENCHMOS-TMの標準的なレベルFET中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
N-Channel 55 V 75A （Tc）の157W （Tc）表面の台紙D2PAK
|
製造者
|
|
|
|
|
|
MURS160-E3/52Tの電子計算機の破片板表面の台紙の超高速のプラスチック整流器 |
ダイオード600 V 2Aの表面の台紙DO-214AA （SMB）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
IRFP2907PBFのトランジスターTO-247集積回路の破片ICの電子工学の中国金ICの製造者 |
N-Channel 75 V 209A （穴TO-247ACを通したTc） 470W （Tc）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
IRFB4227PBFのトランジスターTO-247集積回路の破片ICの電子工学の中国金ICの製造者 |
N-Channel 200 V 65A （穴TO-220ABを通したTc） 330W （Tc）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
RFP70N06高い発電mosfetのトランジスター力MosfetのトランジスターN-Channel力のMOSFETs |
N-Channel 60 V 70A （穴TO-220-3を通したTc） 150W （Tc）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
S6025Lのトライアックの敏感なゲート力MosfetのトランジスターSCRs感知不能なゲート1-70のAMPSの |
SCR 600 V 25は穴TO-220を通した標準的な回復タブを隔離した
|
製造者
|
|
|
|
|
|
TIP31Cの高圧力mosfet二重力mosfetのケイ素NPN力トランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN 100 V 3穴TO-220を通した3MHz 40 W
|
製造者
|
|
|
|
|
|
TIP117ケイ素PNPダーリントン力トランジスター高圧力mosfet二重力mosfet |
両極（BJT）トランジスターPNP -ダーリントン穴TO-220を通した100ボルト2 A 50 W
|
製造者
|
|
|
|
|
|
DR127-6R8-Rの高い発電密度、高性能、保護された誘導器 |
6.8 µHはドラム中心、Wirewound誘導器7.34を標準外11.6mOhm保護した
|
製造者
|
|
|
|
|
|
、低い電力小さい、ADXL335BCPZ ICの破片をプログラムする加速度計 |
加速度計X、YのZ軸±3g 1.6kHz （XのY）、（z） 16-LFCSP-LQ （4x4） 550Hz
|
製造者
|
|
|
|
|
|
NチャネルのPowertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated回路のコンピュータ・チップ板 |
N-Channel 30 V 14.5A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SOIC
|
製造者
|
|
|
|
|
|
コンピュータ サーキット ボードの破片は統合されたデジタルDS1821Sをプログラムした |
温度検出器デジタル、ローカル-55°C | 125°C 8 b 8-SOIC
|
製造者
|
|
|
|
|
|
統合されたDCにDCコンバーターが付いているクォード チャネルのアイソレーターADUM6402CRWZ |
一般目的のデジタル アイソレーター5000Vrms 4チャネル25Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC （0.295"、7.50mmの幅）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
電気通信装置の保護62ボルトからの320ボルトへの■二方向のバールの保護電圧範囲のためのSMP50-180 Trisil |
180Vオフ状態の150 Ipp TVのサイリスタDO-214AC、SMA
|
製造者
|
|
|
|
|
|
SS14ショットキーの障壁の整流器の現在の1.0Ampere電圧20から100ボルト |
ダイオード 40 V 1A 面実装 DO-214AC (SMA)
|
製造者
|
|
|
|
|
|
台紙のショットキー障壁の整流器のVishay表面の大将半導体SS34-E3/57T |
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ADT2-1T+のサーキット ボードは元のICが元の電子工学の部品を欠くSOP-6を欠く |
RFの平衡不平衡変成器400kHz | 450MHz 1:2 6-SMDの平らな鉛
|
製造者
|
|
|
|
|
|
元の1N4756A 1Wのツェナー ダイオードの集積回路の部品 |
穴DO-41を通したツェナー ダイオード47 V 1 W ±5%
|
製造者
|
|
|
|
|
|
4N25VM一般目的のサーキット ボードは6 Pinフォトトランジスター オプトカプラーを欠く |
基礎出力4170Vrms 1チャネル6-DIPが付いているオプティカルアイソレータのトランジスター
|
製造者
|
|
|
|
|
|
AO3400Aのサーキット ボードはN-Channelの強化モード電界効果トランジスタを欠く |
N-Channel 30 V 5.7A （Ta）の1.4W （Ta）表面の台紙SOT-23-3
|
製造者
|
|
|
|
|
|
AQV259Aの電子部品彼（高機能経済の）タイプ[1チャネル（形態A）のタイプ] |
ソリッド ステートSPST-NO （A） 6-SMD （0.300"、7.62mm） 1つの形態
|
製造者
|
|
|
|
|
|
AQY282SXのサーキット ボードはグウ（一般使用）のタイプ[1の2チャネル（A） 4の8 Pinタイプ形態の]娯楽を欠く |
ソリッド ステートSPST-NO （A） 4-SOP （0.173"、4.40mm） 1つの形態
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1Gのスイッチング・ダイオードの元の電子部品、統合されたトランジスター |
ダイオード 100 V 200mA 面実装 SOT-23-3 (TO-236)
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BC848B NPNの一般目的のトランジスター電子部品の低い流れ |
両極（BJT）トランジスターNPN 30 V 100 mA 300MHz 250 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BCP55トランジスター サーキット ボードは表面の台紙Siのエピタキシアル平面を欠く |
両極（BJT）トランジスターNPN 60 V 1.5 A 1.5 W表面の台紙SOT-223-4
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BAT54Sショットキーの障壁の（二重）ダイオードのサーキット ボードは電子部品を欠く |
ダイオードの配列1組の直列接続30 V 100mAの表面の台紙TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BC847BLT1Gの一般目的のトランジスター中国の卸し売り注文のcircuitosのintegrados |
両極（BJT）トランジスターNPN 45 V 100 mA 100MHz 300 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ABC2-10.000MHZ-D4Q-Tのサーキット ボードは低頻度の、元のICの電子部品を欠ける欠く |
10のMHz ±50ppm水晶18pF 4-SMD 45オームのの鉛無し
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BC848B NPNの一般目的のトランジスター カスタム集積回路の部品 |
両極（BJT）トランジスターNPN 30 V 100 mA 100MHz 200 MWの表面の台紙SOT-23
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BC858Bの表面の台紙PNPのケイ素のトランジスター電気回路板、プログラム可能なIC |
両極（BJT）トランジスターPNP 30 V 100 mA 100MHz 250 MWの表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BSS84LT1Gのトランジスター力MOSFET 130 mA、50ボルト中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
P-Channel 50 V 130mA （Ta）の225mW （Ta）表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ACS712ELCTR-30A-Tのサーキット ボードは陶磁器の表面の台紙SMDの電子工学の部品を欠く |
現在のセンサー30A 1チャネルのホール効果、開ループ二方向8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BFG541トランジスターNPN 9 GHzワイドバンドの中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
RFのトランジスターNPN 15V 120mA 9GHz 650mW表面の台紙SC-73
|
製造者
|
|
|
|
|
|
VLS3012T-4R7M1R0 SMD力誘導器集積回路の部品 |
4.7 µHはWirewound誘導器1を156mOhm最高の標準外保護した
|
製造者
|
|
|
|
|
|
AQY210EHのリレーPHOTOMOS SPNO中国製造者の新しい及び元の電子部品 |
ソリッド ステートSPST-NO （A） 4-DIP （0.300"、7.62mm） 1つの形態
|
製造者
|
|
|
|
|
|
LTV-817S-B SOP-4の集積回路の破片ICの電子工学の高密度土台のタイプPhotocoupler |
オプティカルアイソレータのトランジスターは5000Vrms 1チャネル4-SMDを出力した
|
製造者
|
|
|
|
|
|
SFH229FA Silizium PINFotodiode mitのsehrのkurzerのSchaltzeitのケイ素PINフォトダイオード サーキット ボードIC |
フォトダイオード900nm 10ns 34°放射状のもの
|
製造者
|
|
|
|
|
|
3つのmmの放射状のパッケージのサーキット ボードICのSFH4301高速赤外線エミッター（950 nm） |
赤外線（IR）エミッター950nm 1.5V 100mA 16mW/sr @ 100mA 20° T-1
|
製造者
|
|
|
|
|
|
PC733Hの高い入力電流、ACはタイプPhotocoupler ICのパソコン ボードを入れた |
基礎出力5000Vrms 1チャネル6-DIPが付いているオプティカルアイソレータのトランジスター
|
製造者
|
|
|
|
|
|
2SA1298-YのLFの低頻度の電力増幅器の塗布力の転換の適用統合された半導体 |
|
製造者
|
|
|
|
|
|
高速MOC3021 SOP-6 ICの破片の電子工学の中国金ICの製造者はトランシーバーできる |
オプティカルアイソレータのトライアックは5000Vrms 1チャネル6-DIPを出力した
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ACPL-247-500Eのサーキット ボードの破片、集積回路ICの電子工学 |
オプティカルアイソレータのトランジスターは3000Vrms 4チャネル16-SOを出力した
|
製造者
|
|
|
|
|
|
HCNW2611 DIP-8の集積回路の破片ICの電子工学の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター |
ショットキー、論理の出力オプティカルアイソレータ10MBdの開いたコレクターは5000Vrms 1チャネル15kV/µs CMTI 8-DIPを締め金で止めた
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ショットキー整流器ダイオード15MQ040Nはパソコン ボード回路のための保護をメーターで計る |
ダイオード40 V 2.1Aの表面の台紙SMA （DO-214AC）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
電子工学2Aの整流器ダイオードBAT54Aの表面の台紙のショットキー バリア・ダイオード |
ダイオードの配列1組の共通の陽極30 V 100mA表面の台紙SOT-523
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ダイオードの高い発電の赤外線出るダイオードを出すTSAL4400 GaAs/GaAlAs IR |
赤外線（IR）エミッター940nm 1.35V 100mA 16mW/sr @ 100mA 50°の放射状のもの、3mm Dia （T-1）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
RFの集積回路の破片BYG23M-E3/TRの超高速のなだれSMDの整流器 |
ダイオード1000 V 1.5Aの表面の台紙DO-214AC （SMA）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
BZX84C33LT1G 18Vのツェナー ダイオード橋整流器回路の高密度 |
ツェナー ダイオード33 V 225 MW ±6%の表面の台紙SOT-23-3 （TO-236）
|
製造者
|
|
|
|
|
|
ケイ素の整流器ダイオードIC SMAJ12CA 400ワットのZenerの一時的な電圧 |
19.9Vクランプ20.1A Ipp TVのダイオードの表面の台紙DO-214AC （SMA）
|
製造者
|
|
|