RFの集積回路の破片BYG23M-E3/TRの超高速のなだれSMDの整流器
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
RFの集積回路の破片BYG23M-E3-TRの超高速のなだれSMDの整流器
特徴
•控えめなパッケージ
•自動化された配置のための理想
•ガラス不動態化された接続点
•低い逆の流れ
•高い逆電圧
•超高速の逆の回復時間
•大会MSLのレベル1、J-STD-020ごとに、260 °CのLFの最高のピーク
•はんだのすくい260の°C、40 s
•RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品
典型的な適用
高周波改正の使用および消費者、コンピュータ、自動車のための転換モード コンバーターそしてインバーターの惰性で動く適用のためおよびテレコミュニケーション。
機械データ
場合:DO-214AC (SMA)のエポキシはUL 94V-0の燃焼性の評価に会う
ターミナル:消費者等級のためのJ-STD-002およびJESD22-B102 E3の接尾辞ごとの無光沢のスズメッキをされた鉛、solderable、JESD 201のクラス1Aのひげテストに、高い信頼性の等級(修飾されるAEC Q101)のためのHE3接尾辞、会うJESD 201のクラス2のひげテストに会う
極性:色バンドは陰極の端を表示する
最高の評価(通知がなければTA = 25 °C)
変数 | 記号 | BYG23M | 単位 |
装置印コード | BYG23M | ||
最高の反復的なピーク逆電圧 | VRRM | 1000 | V |
平均前方流れ TA = 65 °C | (AV) | 1.5 | |
ピーク前方サージ電流10氏の単一の半分の正弦波 定格負荷で重ねられる |
IFSM | 30 | |
反復的ななだれモードのパルス エネルギー、非 (誘導負荷スイッチ) I (BR) R = 1 A、TJ = 25 °C |
ER | 20 | mJ |
作動の接続点および保管温度の範囲 | TJ、TSTG | - 55への+ 150 | C |
評価および特性曲線(通知がなければTA = 25 °C)
インチ(ミリメートル)のパッケージの輪郭次元

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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