RFP70N06高い発電mosfetのトランジスター力MosfetのトランジスターN-Channel力のMOSFETs
multi emitter transistor
,silicon power transistors
RFG70N06、RFP70N06、RF1S70N06SM
70A、60V、0.014オーム、N-Channel力のMOSFETs
これらはMegaFETプロセスを使用して製造されたN-Channel力のMOSFETsである。LSI回路のそれらに近づく形状を使用するこのプロセスは顕著な性能に終ってケイ素の最適利用を、与える。彼らは切換え調整装置、転換のコンバーター、モーター運転者およびリレー運転者のような適用の使用のために設計されていた。これらのトランジスターは集積回路から直接作動させることができる。
以前進化のタイプTA49007。
特徴
•70A、60V
•rDS () = 0.014Ω
•温度によって償われるPSPICE®モデル
•ピーク電流対脈拍幅のカーブ
•UISの評価のカーブ(単一の脈拍)
•175oC実用温度
•関連の文献
- TB334 「パソコン ボードへのはんだ付けする表面の台紙の部品のための指針」
絶対最高評価TC = 25℃、他に特に規定がなければ
| 変数 | 記号 |
RFG70N06、RFP70N06 RF1S70N06SM |
単位 |
| 源の電圧(ノート1)に流出させなさい | VDSS | 60 | V |
| 電圧をゲートで制御するために流出させなさい(RGS = 20kΩ) (ノート1) | VDGR | 60 | V |
| 連続的な下水管の流れ | ID | 70 | |
| 脈打った下水管の流れ(ノート3) | IDM | ピーク電流のカーブを参照しなさい | |
| 源の電圧へのゲート | VGS | ±20 | V |
| 単一の脈拍のなだれの評価 | EAS | UISのカーブを参照しなさい | |
| 電力損失 | PD | 150 | W |
| 線形軽減の要因 | 1.0 | With℃ | |
| 作動し、保管温度 | TJ、TSTG | -55から175 | ℃ |
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はんだ付けすることのための最高温度 10sのための言い分からの0.063in (1.6mm)の鉛 10sのためのパッケージ ボディは、Techbrief 334を見る |
TL Tpkg |
300 260 |
℃ ℃ |
注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の唯一の評価であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。
注:1. TJ = 25oCへの150℃
記号
包装
標準的な提供(熱い販売法)
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| LA4440 | 3620 | 鳥取三洋電機 | 14+ | SIP-14 |
| LT1512CS8#PBF | 5755 | 線形 | 15+ | SOP-8 |
| LM75CIMMX-3 | 6880 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
| LTC2954CTS8-2#TRMPBF | 6896 | LT | 10+ | SOT |
| NTE4151PT1G | 38000 | 16+ | SOT-523 | |
| CXD2480R | 1277 | ソニー | 15+ | QFP |
| A8498SLJTR-T | 3500 | アレグロ | 12+ | SOP-8 |
| A4950ELJTR-T | 1000 | アレグロ | 13+ | SOP-8 |
| LMX2335LTMX | 2297 | NSC | 14+ | TSSOP-16 |
| NCP1034DR2G | 9200 | 16+ | SOP | |
| A3932SLDTR-T | 2042年 | アレグロ | 15+ | TSSOP38 |
| MM3Z4V7ST1G | 25000 | 16+ | SOD-323 | |
| MCP1825S-3302E/DB | 5134 | マイクロチップ | 16+ | SOT-223 |
| MMBZ5257BLT1G | 20000 | 16+ | SOT-23 | |
| MBR120ESFT1G | 38000 | 16+ | 芝地 | |
| L4931ABD33 | 3851 | ST | 14+ | SOP8 |
| NTE4153NT1G | 30000 | 16+ | SOT-523 | |
| MPX5100DP | 6099 | FREESCALE | 15+ | SIP |
| LMH1980MM/NOPB | 1632 | チタニウム | 15+ | VSSOP-10 |
| PIC18F26K20-I/SS | 4498 | マイクロチップ | 13+ | SSOP |
| LTC3450EUD | 6714 | 線形 | 15+ | DFN |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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