NチャネルのPowertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated回路のコンピュータ・チップ板
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 30 V 14.5A （Ta）の2.5W （Ta）表面の台紙8-SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
negotiation
支払方法:
T/T先立ってまたは他
指定
下水管源の電圧:
30V
メイン・ライン:
IC、モジュール、トランジスター、ダイオード、コンデンサー、抵抗器等
ゲート源の電圧:
±20V
温度:
-50-+150°C
工場パック:
2500PCS/REEL
パッケージ:
SOP-8
ハイライト:
electronic chip board
,electronic components ic
導入
NチャネルのPowertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated回路のコンピュータ・チップ板
30V N-ChannelのPowerTrench FDS6676ASの電子部品の元の在庫
概説
FDS6676ASは同期のショットキー単一SO-8 MOSFETそしてダイオードを取り替えるように設計されている
DC:DC電源。この30V MOSFETは力の変換効率を最大にするように設計され低いRDS （）および低いゲート充満を提供する。FDS6676ASはフェアチャイルドの単一SyncFETの技術を使用してショットキー統合されたダイオードを含んでいる。
適用
•DC/DCのコンバーター
•低い側面のノート
特徴
•14.5 A、30 V. RDSの（） max= 6.0のmΩの@ VGS = 10 V RDSの（） max= 7.25のmΩ @ VGS = 4.5ボルト
•SyncFETショットキー ボディ ダイオードを含んでいる
•低いゲート充満（典型的な45nC）
•極端に低いRDS （）および速い切換えのための高性能の堀の技術
•高い発電および現在の処理の機能
通知がなければ絶対最高評価TA=25o C
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 30 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ±20 | V |
| ID |
現在を–連続的流出させなさい（ノート1a） –脈打つ |
14.5 | |
| 50 | |||
| PD |
半二重操作（ノート1a）のための電力損失 （ノート1b） （ノート1c） |
2.5 | W |
| 1.5 | |||
| 1 | |||
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55から+150 | °C |
熱特徴
| RθJA | 接続点に包囲された熱抵抗（ノート1a） | 50 | With°C |
| RθJC | 熱抵抗、接続点に場合（ノート1） | 25 |
パッケージの印および発注情報
| 装置印が付いていること | 装置 | 巻き枠のサイズ | テープ幅 | 量 |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500単位 |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500単位 |
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