BUK7611-55Bの118 IC TRENCHMOS-TMの標準的なレベルFET中国の製造者の新しい及び元の電子部品
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 55 V 75A （Tc）の157W （Tc）表面の台紙D2PAK
部門:
電子ICの破片
価格:
0.1USD
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
電圧:
12ボルトおよび24ボルト
特徴:
まさに低いオン州の抵抗
記述:
N-channelの強化モードfiのeld効果力トランジスター
温度:
175°C
使用:
/
タイプ:
ICの破片
ハイライト:
electronic chip board
,electronic components ic
導入
BUK7611-55B IC TRENCHMOS-TMの標準的なレベルFET
1.1記述
プラスチック パッケージの使用のN-channelの強化モードfiのeld効果力トランジスター
フィリップス高性能自動車（HPA） TrenchMOS™の技術。
1.2特徴
sのまさに低いオン州の抵抗
s 175°Cは評価した
迎合的なs Q101
互換性があるsの標準的なレベル。
1.3適用
sの自動車システム
sのモーター、ランプおよびソレノイド
s 12 Vおよび24のVの負荷
s一般目的力の切換え。
1.4即時参考データ
s EDS （AL） S≤173 mJ
s ID≤75 A
s RDSon= 9.9のmΩ （タイプ）
s Ptot≤157 W。
| Pin | 記述 |
| 1 |
ゲート（g）
|
| 2 | 下水管（d） |
| 3 | 源（s） |
| Mb |
土台の基盤、
に接続される
下水管（d）
|
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MOQ:
5 PCS