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キーワード [ silicon npn power transistors ] マッチ 152 製品.
| イメージ | 部分# | 記述 | メーカー | 標準的 | RFQ | |
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TIP3055ケイ素NPN力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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BD135 シリコン NPN パワートランジスタ高電圧パワー MOSFET デュアル パワー MOSFET |
TRANS NPN 45V 1.5A SOT32-3
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TIP31Cの高圧力mosfet二重力mosfetのケイ素NPN力トランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN 100 V 3穴TO-220を通した3MHz 40 W
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基礎現在の5つのBD911 3 Pinのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 15 A 3MHz 90 W Through Hole TO-220
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2SD1047ケイ素NPN力トランジスター中国の製造者の新しい及び元の電子部品 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 12 A 20MHz 100 W Through Hole TO-3P
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TO-220パッケージが付いている2SC2073力Mosfetのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 1.5 A 4MHz 1.5 W Through Hole TO-220AB
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2SC4546 3 Pinのトランジスターiscのケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 7 A 10MHz 30 W Through Hole TO-220F
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TIP42C両極にNPN PNPのトランジスター100V 6A現在に65W力HFEの分かれること |
穴TO-220を通した両極（BJT）トランジスターPNP 100 V 6 A 65 W
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2SD1899 NPN PNPのトランジスター ケイ素の物質的で低いコレクターの飽和電圧 |
穴TO-220を通した両極（BJT）トランジスターPNP 60 V 10 A 50 W
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BFS505,115 15V RF力トランジスター、18mA 9GHz 150mWの表面の台紙のトランジスター |
RFのトランジスターNPN 15V 18mA 9GHz 150mW表面の台紙SC-70
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力mosfetの低い電力mosfetを転換するTIP35Cのケイ素NPN力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
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BD243C TO-220のトランジスター集積回路の破片ICの電子工学の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 65 W Through Hole TO-220-3
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ケイ素PNP力トランジスター（電力増幅器の塗布） 2SA1943 |
バイポーラ（BJT） トランジスタ PNP 230 V 15 A 30MHz 150 W スルーホール TO-3P(L)
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新しい及び元のケイ素PNP力トランジスター、TO-220Cのパッケージ2SB861 |
Bipolar (BJT) Transistor
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2SA1295 PNPのエピタキシアル平面トランジスター ケイ素SANKENの真新しい元の状態 |
両極（BJT）トランジスターPNP 230 V 17穴MT-200を通した35MHz 200 W
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2SC4883A 3 Pinのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル平面トランジスター、npnのsmdのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 180 V 2 A 120MHz 20 W Through Hole TO-220F
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MMSS8050-H-TPのケイ素 プラスチック1.5A SOT-23 NPNはトランジスターを内部に閉じ込める |
両極（BJT）トランジスターNPN 25 V 1.5 100MHz 625 MWの表面の台紙SOT-23
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TIP41C力Mosfetモジュールのトランジスター補足のケイ素力トランジスター |
バイポーラ（BJT） トランジスタ NPN 100 V 6 A 65 W スルーホール TO-220
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ケイ素NPNの一般目的のアンプの高圧トランジスターMMBT5551 |
両極（BJT）トランジスターNPN 160 V 600 mA 100MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23-3
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新しい及び元のケイ素NPNダーリントン力トランジスター2SD2390 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 150 V 10 A 55MHz 100 W Through Hole TO-3P
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BCX56-16,147 パワーMOSFET IC トランジスタ NPN シリコンプレーナ中型パワートランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 180MHz 1.25 W Surface Mount SOT-89
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原物3 PinのトランジスターBD249C-S NPN高い発電のトランジスター25A 125W |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3 W Through Hole SOT-93
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BFQ67W SOT-23の電子工学の集積回路の補足のケイ素NPN平面RFのトランジスター |
RFのトランジスターNPN 10V 50mA 8GHz 300mW表面の台紙SC-70
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2N2222A パワー MOSFET トランジスタ NPN スイッチング トランジスタ 高速スイッチ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 800 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-18
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プラスチック ダーリントン補足力mosfetのケイ素力トランジスター2N6038 |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 4 A 40 W Through Hole TO-126
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MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン100ボルト2 25MHz 20 Wの表面の台紙DPAK
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新品およびオリジナル NPN/PNP プラスチック パワー トランジスタ BDX34C |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 100 V 10 A 70 W Through Hole TO-220
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MJL21193 MJL21194 パワー MOSFET モジュール シリコン パワー トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 200 W Through Hole TO-264
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TIP105トランジスター ソケット3ピン、ケイ素PNPダーリントン力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP - DarliCM GROUPon 60 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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TIP2955力mosfetの低い電力mosfetを転換する補足力トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 15 A 90 W Through Hole TO-247-3
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MJD122G補足のダーリントン力トランジスター転換力mosfetの低い電力mosfet |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 4MHz 20 W Surface Mount DPAK
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MMBTA42LT1G力MosfetのトランジスターNPNケイ素の高圧トランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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BC548BのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスターNPN一般目的のトランジスター |
穴TO-92を通って両極（BJT）トランジスターNPN 30 V 100 mA 500 MW
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SPA04N60C3XKSA1 npnのdarliCM GROUPon力トランジスター力Mosfetのトランジスター涼しいMOS™力トランジスター |
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
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トライアックのケイ素3 Pinのトランジスター、二方向の三極管のサイリスタBTA16-800BW3G |
TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220AB
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STP20NM50FPのnpnのdarliCM GROUPon力トランジスター力MosfetのトランジスターN-CHANNEL MDmeshか。力MOSFET |
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
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HEXFET力MOSFETのケイ素力トランジスターIRF3205PBF |
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
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力MOSFET IRF740PBFのケイ素力トランジスター単一構成 |
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
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BD439 パワー Mosfet モジュール プラスチック中出力シリコン NPN トランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126
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TIP102 Mosfet トランジスタ相補型シリコンパワーダーリントントランジスタ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 8 A 2 W Through Hole TO-220
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TIP122力Mosfetのトランジスター補足のケイ素力のダーリントンのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 100 V 5 A 2 W Through Hole TO-220
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BD681 NPNダーリントン力トランジスター中型力の切換え |
両極（BJT）トランジスターNPN -ダーリントン穴SOT-32-3を通した100ボルト4 A 40 W
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MJE15032G MJE15033G力Mosfetのトランジスター補足力mosfet |
両極（BJT）トランジスターNPN 250 V8穴TO-220を通した30MHz 50 W
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BC846Bのケイ素の一般目的のトランジスターNPN電気IC |
両極（BJT）トランジスターNPN 65 V 100 mA 300MHz 350 MWの表面の台紙SOT-23-3
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2SC2482 TO-92のプラスチック パッケージのトランジスター（NPN）、Npnの一般目的のトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
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BCV49力Mosfetのトランジスター、NPNのケイ素のダーリントンのトランジスター高いコレクター流れ |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
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ZTX653 NPNのケイ素平面の（中型力トランジスター）転換力mosfet |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 2 A 175MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
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2SC4793 （Fは、M） 3 Pinのトランジスター破片の電子工学IC Integarted Circutsを欠く |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 1 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
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PNP/NPNの高い現在の切換えのためのエピタキシアル平面のケイ素力トランジスター2SC5707 |
両極（BJT）トランジスターNPN 50 V8 330MHz 1 Wの表面の台紙TP-FA
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2SC2229-Y力mosfet IC力Mosfetのトランジスター ケイ素NPNの三倍によって拡散させるタイプ（PCTプロセス） |
穴TO-92MODを通って両極（BJT）トランジスターNPN 150 V 50 mA 120MHz 800 MW
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