TLP621-2プログラマブル コントローラAC/DC-INPUTモジュールの半導体継電器
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
TLP621-2プログラマブル コントローラAC/DC-INPUTモジュールの半導体継電器
東芝TLP621、−2および−4はphoto−transistorから成っている
ガリウム砒素の赤外線出るダイオードに光学的につながれて。
TLP621−2は8つの鉛のプラスチックすくいの2つの隔離されたチャネルを提供する、
TLP621−4が16プラスチックすくいの4つの隔離されたチャネルを提供するかどれ。
•Collector−emitterの電圧:55ボルト(min.)
•現在の移動比率:50% (min.)のランクGB:100% (min.)
絶対最高評価(Ta = 25°C)
特徴 | 記号 | 評価 | 単位 | ||
TLP621 | TLP621−2 TLP621−4 |
||||
L E D |
前方流れ | 60 | 50 | mA | |
前方現在の軽減 | ΔIF/°C | −0.7 (Ta > 39°C) | −0.5 (Ta = 25°C) | mA/°C | |
現在先に脈打ちなさい | IFP | 1 (100μs脈拍、100pps) | |||
電力損失 | PD | 100 | 70 | MW | |
電力損失の軽減 | ΔPD/°C | −1.0 | −0.7 | MW/°C | |
逆電圧 | VR | 5 | V | ||
接合部温度 | Tj | 125 | °C | ||
D e t e c t o r |
Collector−emitterの電圧 | VCEO | 55 | V | |
Emitter−collectorの電圧 | VECO | V | V | ||
コレクター流れ | IC | 50 | mA | ||
コレクターの電力損失 (1つの回路) |
PC | 150 | 100 | MW | |
軽減するコレクターの電力損失(1つの回路、Taの≥ 25°C) | ΔPC/°C | −1.5 | −1.0 | MW/°C | |
接合部温度 | Tj | 125 | °C | ||
保管温度の範囲 | Tstg | −55~125 | °C | ||
実用温度範囲 | Topr | −55~100 | °C | ||
鉛のはんだ付けする温度 | Tsol | 260 (10 s) | °C | ||
総パッケージの電力損失 | PT | 250 | 150 | MW | |
軽減する総パッケージの電力損失(Taの≥ 25°C) | ΔPT/°C | −2.5 | −1.5 | MW/°C | |
分離の電圧(ノート1) | BVS | 5000 (AC、1min。、R.H.≤ 60%) | Vrms |
注:絶えずを使用して重負荷(例えば高温の適用/現在/電圧の下で
そして温度、等の重要な変更により)このプロダクトはreliaで減るかもしれない
-かなりbility作動条件(すなわち実用温度/現在/電圧、
等は絶対最高評価の内に)ある。適切な信頼性を設計しなさい
東芝の半導体の信頼性の手引の検討(「軽減する注意」の/「扱う
概念および方法」)および個々の信頼性データ(すなわち信頼度試験のレポートおよび推定故障率、等)。
(ノート1)は装置2ターミナルを考慮した:LEDの側面ピンは、一緒にショートした探知器の側面ピン一緒にショートし。
推薦された作動条件
特徴 | 記号 | Min. | タイプ。 | 最高。 | 単位 |
供給電圧 | VCC | - | 5 | 24 | V |
前方流れ | - | 16 | 20 | mA | |
コレクター流れ | IC | - | 1 | 10 | mA |
実用温度 | Topr | −25 | - | 85 | °C |
注:推薦された作動条件は設計のガイドラインとしてに与えられる
期待した装置の性能を得なさい。さらに、各項目はである
それぞれ独立した指針。このプロを使用して成長の設計
-管は、この文書で示されている指定特徴を確認する。
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
MAX3485EESA | 3572 | 格言 | 13+ | SOP-8 |
MAX2606EUT | 3580 | 格言 | 15+ | SOT23-6 |
SN74HC4066N | 3580 | チタニウム | 16+ | DIP14 |
TL074CDR | 3580 | チタニウム | 16+ | SOP-14 |
BZX84-C16 | 3582 | 14+ | SOT-23 | |
IRF7492TRPBF | 3600 | IR | 14+ | SOP-8 |
SGW25N120 | 3600 | 14+ | TO-3P | |
FDS8958B | 3700 | フェアチャイルド | 16+ | SOP-8 |
L7809 | 3700 | ST | 16+ | TO-220 |
SP202ECT | 3700 | SIPEX | 13+ | SOP-16 |
ZTX614 | 3700 | ZETEX | 15+ | TO-92 |
1N4744A | 3710 | ST | 16+ | DO-41 |
SN74HC273N | 3710 | チタニウム | 16+ | DIP-20 |
FQA19N60 | 3711 | フェアチャイルド | 14+ | TO-247 |
TDA7056B | 3711 | フィリップス | 14+ | ジッパー |
XR2206 | 3720 | EXAR | 14+ | DIP16 |
CC2530F256RHAR | 3750 | チタニウム | 16+ | QFN40 |
DTDG14GP | 3750 | ROHM | 16+ | SOT89 |
RT9214PS | 3750 | RICHTEK | 13+ | SOP-8 |
SMAJ58A | 3750 | VISHAY | 15+ | SMA |
NCP1653ADR2G | 3754 | 16+ | SOP-8 | |
DPA6111 | 3771 | IR | 16+ | DIP4 |
TLP281-1 | 3771 | 東芝 | 14+ | SOP4 |
B1100-13-F | 3772 | ダイオード | 14+ | SMA |
SN74LVC1G97DCKR | 3772 | チタニウム | 14+ | SC70-6 |
FQP19N20 | 3777 | フェアチャイルド | 16+ | TO220 |
LTC4412 | 3778 | 線形 | 16+ | SOT23-6 |
MAX4172EUA+T | 3778 | MAXIN | 13+ | MSOP8 |
TLP621-2GB | 3778 | 東芝 | 15+ | DIP8 |
MIC841LBC5 | 3780 | MICREL | 16+ | SC70-5 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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