メッセージを送る
> 製品 > 電子ICの破片 > MGA-31589-BLKG 0.5 W電子ICは高利得運転者のアンプICの破片を欠く

MGA-31589-BLKG 0.5 W電子ICは高利得運転者のアンプICの破片を欠く

メーカー:
製造者
記述:
RFのアンプIC一般目的450MHz | 1.5GHz SOT-89-3
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
電力損失:
1050mW
CW RFの入力パワー:
17dBm
接合部温度:
150°C
保管温度:
-65 150°Cに
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

MGA-31589-BLKG 0.5 Wの高利得運転者のアンプ


特徴

•迎合的なROHS
•自由なハロゲン
•低いDCバイアス力[1]の高い直線性
•高利得
•低雑音図
•高いOIP3
•高度の強化モードPHEMT技術
•製品仕様書の優秀な均等性
•SOT-89標準パッケージ

指定

0.9 GHz、Vdd = 5ボルト、Idd = 25° Cの146 mA (典型的)
•OIP3 = 45.3 dBm
•雑音指数= 1.9 dB
•利益= 20.4のdB
•P1dB = 27.2 dBm
•IRL = 14.0 dB、ORLの= 11.6のdB

記述
Avagoの技術のMGA-31589は0.5 Wの標準的なSOT-89プラスチック パッケージで収納される高利得、高性能の運転者のアンプMMICである。装置は簡単な一致の部品が100つから200のMHzの帯域幅細目内の最適性能を実現するように要求した。MGA-31589は450のMHzから周波数範囲1.5 GHzのの内で作動する無線下部組織の塗布にとって特に理想的である。高いIP3および低雑音図によって、MGA-31589はのアンプが鎖を送信する第2または第三段階としてのLNAは鎖を受け取る運転者として利用されるかもしれ。1.5 GHzからの3.0 GHzへのより高い頻度の最適性能のために、MGA-31689は推薦される。MGA-31589の高利得および高い直線性の特徴はAvagoの技術の所有物の使用によって0.25 mm GaAs強化モードpHEMTプロセス達成される。

MGA-31589絶対最高評価

記号 変数 単位 絶対最高。
最高Vdd ひくために電圧、RFの出力を流出させなさい V 5.5
Pd 電力損失(2) MW 1050
Pin CW RFの入力パワー dBm 17
Tj 接合部温度 °C 150
TSTG 保管温度 °C -65から150

700のMHzのMGA-31589適用回路データ

TA = 25° C、Vdd = 5ボルト、Idd = 146 mA

標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。 ブランド D/C パッケージ
PCA9532PW 12140 15+ TSSOP
AZ75232GTR-E1 1052 BCD 11+ TSSOP20
CS6422-CSZR 1453 毛状突起 14+ SOP
Z85C3008PSC 450 ZILOG 06+ DIP-40
LT6700CS6-3#TRPBF 14614 線形 15+ SOT
MC34164D-3R2G 3472 10+ SOP
34992* 2102 BOSCH 15+ ZIP-15
30651 907 BOSCH 11+ QFP-64
PIC16F873A-I/SO 4903 マイクロチップ 16+ SOP
LT3980EMSE 5605 LT 13+ MSOP
MC74HC4538AN 4782 10+ すくい
MMSZ4680T1 20000 10+ SOD-123
MAX232DR 30000 チタニウム 16+ SOP
MAX232CSE 30000 格言 16+ SOP
MAX232ECPWR 8150 チタニウム 15+ TSSOP
CLRC66301HN 1178 13+ QFN32
N82S23AN 3650 フィリップス 14+ すくい
MMA8453QT 4412 FREESCALE 13+ QFN
MC56F8013VFAE 3580 FREESCALE 16+ QFP
MBR1100 25000 16+ DO-41
QG82945GSE SLB2R 300 INTEL 09+ BGA
MC44603AP 3532 10+ すくい
LTC2262CUJ-14 638 線形 15+ QFN
MBRF2545CTG 17618 11+ TO-220
MCP9803T-M/SN 5716 マイクロチップ 14+ SOIC
L5973ADTR 3873 ST 15+ SOP8
MJD50T4G 38000 16+ SOT-252
PIC18F2620-I/SP 4513 マイクロチップ 10+ すくい
PC716V 11580 シャープ 16+ すくい
LTC4355IMS 6363 線形 15+ MSOP

関連製品
イメージ 部分# 記述
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
20pcs