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FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター

メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 100 V 96A (穴TO-220-3を通したTc) 188W (Tc)
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
源の電圧に流出させなさい:
100V
単一の脈打ったなだれエネルギー:
269mJ
ピーク ダイオードの回復dv/dt:
6.0V/ns
作動し、保管温度の範囲:
-55 +175°Cに
ハイライト:

electronic integrated circuit

,

linear integrated circuits

導入

FDP085N10AのN-ChannelのPowerTrench MOSFETの高い発電Mosfetのトランジスター

特徴

•RDS () = 7.35mΩ (タイプ。) @ VGS = 10V、ID = 96A

•速い切り替え速度

•低いゲート充満

•極端に低いRDSのための高性能の堀の技術()

•高い発電および現在の処理の機能

•迎合的なRoHS
概説
このN-Channel MOSFETはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される先発のPowerTrenchプロセスを使用して。
適用
•DCコンバーターへのDC

•テレコミュニケーションPSUのための同期改正

•充電器

•ACモーター ドライブおよび無停電電源装置

•オフ・ラインUPS

熱特徴

記号 変数 評価 単位
RθJC 熱抵抗、包装するべき接続点 0.8 °C/W
RθJA 熱抵抗、包囲されたへの接続点 62.5 °C/W


典型的なパフォーマンス特性


物品目録の部分

ZM4749A 10000 VISHAY 15+ DO-213AB
ZM4746A 5000 VISHAY 15+ DO-213AB
MURA160T3G 25000 16+ DO-214
MRA4005T3G 20000 16+ DO-214AC
B240A-13-F 5000 ダイオード 15+ SMA
B260A-13-F 5000 ダイオード 16+ SMA
B1100-13-F 10000 ダイオード 16+ SMA
MURA215T3G 40000 16+ DO-214
0603ESDA-TR1 20500 たる製造人 15+ SMD
DL4007-13-F 8100 ダイオード 15+ LL41
BAT54WS 15000 盤錦 15+ SOD323
DL4004 8160 MCC 15+ LL41
BZX85C15 5000 VISHAY 14+ DO-41
MCR100-6 20000 16+ SOT-23
MUR160RLG 25000 16+ DO-41
BAT42 15000 VISHAY 14+ DO-35
BZX55C12 10000 ST 16+ DO-35
DB3 1275 ST 13+ DO-35
1N4148 9000 ST 16+ DO-35
1N4761A-TAP 9000 VISHAY 15+ DO-41
DL4001-13-F 8190 ダイオード 15+ LL41
PIC16F1823-I/SL 5318 マイクロチップ 16+ SOP
P89LPC935FDH 3340 14+ TSSOP
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MSS1278-184KLD 6897 COILCRAFT 16+ SMD
NLFC453232T-151K 38000 TDK 16+ SMD
PCF8576CT/1 13160 16+ SSOP
LM2940CSX-5.0 10000 NSC 15+ TO-263
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MOQ:
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