CNY66B電子ICはフォトトランジスターの出力が付いているオプトカプラーを欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
CNY64/CNY65/CNY66
オプトカプラー、フォトトランジスターの出力、非常に高い分離の電圧
特徴
•評価される分離の電圧（RMSはDCを含んでいる） VIOWM = 1000 VRMS （1450ボルトのピーク）
•評価される繰り返しピーク電圧（反復的な） VIORM = 1000 VRMS
•絶縁材の≥を通した厚さ3つのmm
•VDE 0303/IEC 60112の比較級追跡索引に従う表面漏れ現在の抵抗:CTIの≥ 200
•無鉛部品
•RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品
代理店の承認
•UL1577のファイルNO E76222のシステム・コードHのJの&K、二重保護
•未決DIN EN 60747-5-2 （VDE0884） DIN EN 60747-5-5
•VDEは特徴を関連付けた:
•評価されるインパルス電圧（一時的な過電圧） VIOTM = 8つのkVのピーク
•分離テスト電圧（部分的な排出テスト電圧） Vpd = 2.8 kVのピーク
適用
安全クラスに従う電撃に対する安全な保護分離のための回路II （補強された分離）:
applのため。クラスI -本管の電圧≤ 300 VのIV
applのため。クラスI -本管の電圧≤ 600 VのIV
applのため。クラスI - IIIで本管電圧≤ 1000 Vに従ってDIN EN 60747-5-2 （VDE0884）/DIN EN 60747 -、のために適した表2未決5-5:
スイッチ モード電源、ライン受信機、コンピュータ周辺機器 インターフェイス、マイクロプロセッサ システム・インタフェース。
記述
CNY64/CNY65/CNY66は光学的に4ピン プラスチック パッケージのガリウム砒素のinfraredemittingダイオードにつながれるフォトトランジスターから成っている。
単一の部品は互いの反対に取付けられ、入出力間の間隔を> 3つのmmの最も高い安全要求事項に提供する。
絶対最高評価
Tamb = 25 °C、他に特に規定がなければ
絶対最高評価以上の圧力は装置への永久的な損害を与えることができる。装置の機能操作はこの文書の操作上セクションで与えられるそれら以上これらまたは他のどの条件でも意味されない。時間の長期の絶対最高評価への露出は不利に信頼性に影響を与えることができる。
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
|---|---|---|---|---|
| 入力 | ||||
| 逆電圧 | VR | 5 | V | |
| 前方流れ | 75 | mA | ||
| 前方サージ電流 | TPの≤ 10のµs | IFSM | 1.5 | |
| 電力損失 | Pdiss | 120 | MW | |
| 接合部温度 | Tj | 100 | °C | |
| 出力 | ||||
| コレクターのエミッターの電圧 | VCEO | 32 | V | |
| エミッターのコレクター電圧 | VECO | 7 | V | |
| コレクター流れ | IC | 50 | mA | |
| コレクターのピーク電流 | tp/T = 0.5のTPの≤ 10氏 | ICM | 100 | mA |
| 電力損失 | Pdiss | 130 | MW | |
| 接合部温度 | Tj | 100 | °C | |
| カプラー | ||||
| AC分離テスト電圧（RMS） | t = 1分 | VISO | 8.2 | kV |
| 全体の電力損失 | Ptot | 250 | MW | |
| 周囲温度の範囲 | Tamb | - 55への+ 85 | °C | |
| 保管温度の範囲 | Tstg | - 55への+ 100 | °C | |
| はんだ付けする温度 | 場合、tの≤ 10 sからの2つのmm | Tsld | 260 | °C |
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| IRFU220NPBF | 1820 | IR | 13+ | TO-251 |
| MCP73871-2CCI/ML | 1820 | マイクロチップ | 15+ | QFN |
| PC410L | 1821 | シャープ | 16+ | SOP5 |
| AT24C01すくい | 1822 | ATMEL | 16+ | すくい |
| IRF530NPBF | 1822 | IR | 14+ | TO-220 |
| TNY280PN | 1822 | 力 | 14+ | DIP-7 |
| 74HC595 | 1841 | 14+ | SOP | |
| 3296W-1-503LF | 1850 | BOURNS | 16+ | すくい |
| LT1172CT | 1850 | LT | 16+ | TO220-5 |
| A4506 | 1875 | ANAGO | 13+ | SOP-8 |
| APM4546 | 1877 | ANPEC | 15+ | SOP-8 |
| HCS360/SN | 1879 | MICROC | 16+ | SOP8 |
| HEF4069UBT | 1887 | 16+ | SOP14 | |
| IRF1010EPBF | 1887 | IR | 14+ | TO-220 |
| 2N2907A | 1888 | ST | 14+ | CAN3 |
| MCP609-I/SL | 1888 | マイクロチップ | 14+ | SOP-14 |
| ST72F321BJ9T6 | 1888 | ST | 16+ | QFP |
| W25X40BVSSIG | 1888 | WINBOND | 16+ | SOP8 |
| CD4017BE | 1889 | チタニウム | 13+ | すくい |
| ADA4899-1YRDZ | 1895 | 広告 | 15+ | SOP8 |
| PIC18F26K20-I/SO | 1900年 | マイクロチップ | 16+ | SOP28 |
| MC34064P-5G | 1941年 | 16+ | TO92 | |
| BQ27510DRZR | 1955年 | チタニウム | 14+ | SON-12 |
| AK4420ET | 1975年 | AKM | 14+ | TSSOP16 |
| AD7541AJN | 1990年 | 広告 | 14+ | DIP-18 |
| PIC18F97J60-I/PT | 1990年 | マイクロチップ | 16+ | QFP |
| XC3S400-4TQG144C | 1990年 | XILINX | 16+ | TQFP-144 |
| FA5571N | 1991年 | 富士 | 13+ | SOP8 |
| MBR1045G | 1991年 | 15+ | TO-220 | |
| A2231 | 1997年 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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