LIS331DLHTRの電子集積回路MEMSのデジタル出力のモーションセンサー
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
LIS331DLH
MEMSのデジタル出力のモーションセンサー
超ローパワー高性能の3斧の「ナノの」加速度計
特徴
■広い供給電圧、2.16ボルトから3.6ボルト
■低電圧多用性があるIOs、1.8ボルト
■超ローパワー モード消費10 µAに
■±2g/±4g/±8gの動的に選択可能なフル・スケール
■私2C/SPIデジタル出力 インターフェイス
■16ビット・データの出力
■自由落下および動き検出のための2つの独立したプログラム可能な割り込み発電機
■目覚し機能への睡眠
■6Dオリエンテーションの検出
■埋め込まれた自己テスト
■10000 gの高い衝撃の残存可能性
■ECOPACK® RoHSおよび「緑の」迎合的
適用
■動きによって活動化させる機能
■自由落下の検出
■手持ち型装置のための理性的な節電
■歩数計
■表示オリエンテーション
■賭博およびバーチャル リアリティの入力装置
■影響の認識および記録
■振動監視および補償
記述
LIS331DLHはデジタルI2C/SPIのシリアル・インタフェースの標準的な出力を持つ「ナノの」家族に、属する超ローパワー高性能3の斧の線形加速度計である。
装置は目覚し機能に高度の節電およびスマートな睡眠を可能にする超ローパワー オペレーショナル モードを特色にする。
LIS331DLHに±2g/±4g/±8gの動的にユーザーの選択可能で完全なスケールがあり、0.5 Hz測定することができるからの1つのkHzにアウトプット データ率の加速を。
自己診断機能はユーザーが最終的な適用のセンサーの作用を点検することを可能にする。
装置は慣性の目覚し/自由落下のでき事によって、また装置の位置自体によって信号を中断するために発生するように形成されるかもしれない。割り込み発電機の境界そしてタイミングはエンド ユーザーによって大急ぎでプログラム可能である。
LIS331DLHは小さく薄いプラスチック土地の格子配列のパッケージ（LGA）で利用でき、-40 °Cから+85 °C.に延長温度較差に作動することを保証する。
絶対最高評価
「絶対最高評価として」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは評価するただ圧力であり、装置の機能操作はこのような状況の下で意味されない。長期の最高評価の条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
| 記号 | 評価 | 最大値 | 単位 |
|---|---|---|---|
| Vdd | 供給電圧 | -0.3から6 | V |
| Vdd_IO | 入力/出力は供給電圧をピンで止める | -0.3から6 | V |
| Vin |
制御ピンの入れられた電圧 （CS、SCL/SPC、SDA/SDI/SDO、SDO/SA0） |
Vdd_IO +0.3への-0.3 | V |
| APOW | 加速（動力を与えられるあらゆる軸線Vdd = 2.5 V） | 0.5人の氏のための3000 g | |
| 0.1人の氏のための10000 g | |||
| AUNP | 加速（軸線、無動力） | 0.5人の氏のための3000 g | |
| 0.1人の氏のための10000 g | |||
| 上 | 実用温度範囲 | -40から+85 | °C |
| TSTG | 保管温度の範囲 | -40から+125 | °C |
| ESD | 静電放電の保護 | 4 （HBM） | kV |
| 1.5 （CDM） | kV | ||
| 200 （MM） | V |
注:あらゆるピンの供給電圧は決して6.0ボルトを超過するべきではない
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| LM78L12ACZ | 10722 | NS | 05+ | TO-92 |
| LM78M05CV | 28000 | ST | 10+ | TO-220 |
| LM7912CT | 7211 | NSC | 04+ | TO-220 |
| LM809M3X-2.93 | 22066 | NS | 07+ | SOT23-3 |
| LM810M3X-4.38 | 15747 | NS | 08+ | SOT-23 |
| LM8272MMX | 14887 | チタニウム | 04+ | MSOP-8 |
| LM833DR | 11771 | チタニウム | 14+ | SOP-8 |
| LM833DR2G | 42000 | 13+ | SOP-8 | |
| LM833DT | 53000 | STM | 10+ | SOP-8 |
| LM92CIMX | 3266 | チタニウム | 16+ | SOP-8 |
| LM98714CCMT | 1687 | チタニウム | 15+ | TSSOP-48 |
| LMC6001AIN | 2011年 | NS | 15+ | DIP-8 |
| LMC6484AIMX | 6736 | NS | 15+ | SOP-14 |
| LME49720MA | 5663 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
| LME49720MAX | 8476 | チタニウム | 14+ | SOP-8 |
| LME49726MY | 8994 | チタニウム | 16+ | MSOP-8 |
| LMH0024MAX | 2489 | チタニウム | 15+ | SOP-16 |
| LMH6611MK | 7858 | チタニウム | 16+ | SOT23-6 |
| LMH6624MA | 9235 | NS | 15+ | SOP-8 |
| LMH6645MAX | 12047 | NS | 13+ | SOP-8 |
| LMH6646MAX | 4445 | チタニウム | 15+ | SOP-8 |
| LMP7702MA | 3527 | NS | 16+ | SOP-8 |
| LMP7721MAX | 2993 | チタニウム | 11+ | SOP-8 |
| LMR14203XMKX/NOPB | 9206 | チタニウム | 13+ | SOT23-6 |
| LMR62014XMFX | 4939 | チタニウム | 16+ | SOT23-5 |
| LMT84DCKR | 7282 | チタニウム | 15+ | SOT-5 |
| LMV2011MFX | 5813 | NS | 12+ | SOT23-5 |
| LMV321IDBVR | 102000 | チタニウム | 16+ | SOT23-5 |
| LMV321IDCKR | 41000 | チタニウム | 16+ | SOT23-5 |
| LMV324MX | 4742 | チタニウム | 12+ | SOP-14 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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