TLV2374IDR電子ICはRAIL-TO-RAIL入出力演算増幅器を欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
TLV2370、TLV2371、TLV2372、TLV2373、TLV2374、TLV2375
操業停止の550-uA/Ch 3 MHz RAIL-TO-RAIL入出力演算増幅器の系列
• 柵に柵入出力か。
•広い帯域幅… 3つのMHzか。
•高いスルー・レート… 2.4 V/µsか。
•供給電圧の範囲… 2.7ボルトから16ボルトか。
•供給の流れ… 550 µA/Channelか。
•低い電力の操業停止モード
IDD （SHDN）… 25 µA/Channel
•入れられた騒音の電圧… 39 nV/√Hzか。
•入れられたバイアス流れ… 1 pAか。
•指定温度較差
−40°Cへの125°C。産業等級か。
•Ultrasmall包装
5か6 Pin SOT-23 （TLV2370/1）
8か10 Pin MSOP （TLV2372/3）
記述
TLV237xの単一の供給の演算増幅器は柵に柵の入出力機能を提供する。TLV237xは延長産業温度較差上の2.7ボルトに柵に柵の出力振動特徴を加えている間最低の作動の供給電圧を降ろす。TLV237xはまた550だけµAからの3 MHz帯域幅を提供する。最高は装置が作動させるようにする供給電圧をである16ボルト推薦した、（±8 Vの供給±1.35 V）にいろいろ再充電可能な細胞。
CMOSの入力は電池式の適用のTLC227xのための理想的な代わりを作っていて低電圧操作がhigh-impedanceセンサー インターフェイスの使用を、可能にする。柵に柵の入力段階のなお一層の増加多様性。TLV237xはチタニウムから利用できるRRIOプロダクトの急速に増加の第7メンバーでありよいAC性能の16-V柵まで操作を許可する第1である。
すべてのメンバーはPDIPで利用でき、のSOICは小さいSOT-23パッケージで選抜したり、TSSOPのパッケージのMSOPおよびクォードで二倍になる。
2.7-V操作はTLV237xを李イオンと互換性があるようにチタニウムのMSP430を含む多くのマイクロパワー マイクロ制御回路利用できる今日のパワー系統そして作動の供給電圧の範囲をする。
TLV237xのパッケージPINOUTS （1）
作動の自由空気温度較差上の絶対最高評価（通知がなければ） †
供給電圧、VDD （ノート1）を……………………………………見なさい。16.5 V
差動入力電圧、VID………………………………………… ±VDD
入れられた電圧範囲、VI （ノート1）………………………… −0.2 VをにVDD + 0.2ボルト見なさい
入力電流の範囲、II.…………………………………………… ±10 mA
出力電流の範囲、IO…………………………………………。±100 mA
連続的な全体の電力損失……………………。消滅の評価のテーブルを見なさい
作動の自由空気温度較差、TA:私接尾辞……………………。−40°Cへの125°C
最高の接合部温度、TJ……………………………………。150°C
保管温度の範囲、Tstg………………………………。 −65°Cへの150°C
10秒の言い分から温度を………………… 1,6のmm （1/16インチ）導きなさい。260°C
†は「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越えて装置への永久的な損害を与えるかもしれない重点を置く。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置または「推薦された作動条件の下で」示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価される条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
注:すべての電圧価値は、差動電圧を除いてGNDに関して、ある。
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| MMSZ6V2T1G | 25000 | 16+ | SOD-123 | |
| M29W160EB70N6E | 3815 | ST | 16+ | TSSOP |
| PIC12C508-I/P | 9400 | マイクロチップ | 16+ | すくい |
| NE5532DR | 10000 | チタニウム | 16+ | SOP |
| LM2676SX-5.0 | 3000 | NSC | 15+ | TO-263-7 |
| LMC555CMMX | 5340 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| M29W640GB70NA6E | 3763 | ST | 10+ | TSOP |
| LP3470M5X-2.93 | 5820 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| LP38690DTX-1.8 | 2854 | NSC | 15+ | TO-252 |
| MAX3238CDBR | 11800 | チタニウム | 16+ | SSOP |
| PIC16F628A-I/SO | 5128 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| MT48LC4M16A2P-75:G | 7296 | ミクロン | 16+ | TSOP |
| LP38690DTX-3.3 | 3872 | チタニウム | 13+ | TO-252 |
| MC34151PG | 3454 | 16+ | すくい | |
| MC14017BDR2G | 30000 | 11+ | SOP | |
| ZHCS500TA | 6000 | ZETEX | 14+ | SOT23 |
| LM317MDT | 38000 | ST | 14+ | TO-252 |
| MJD210T4G | 5000 | 16+ | TO-252 | |
| M41T94MQ6F | 3620 | ST | 16+ | SOP |
| 2MBI300N-060 | 100 | 富士 | 10+ | モジュール |
| LTC4060EFE | 6506 | 線形 | 15+ | TSSOP |
| OPA2171AIDR | 6660 | チタニウム | 13+ | SOP |
| NTA4151PT1G | 38000 | 16+ | SOT | |
| LP3990MFX-1.8 | 5167 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| PIC16F506-I/SL | 5203 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
| BTB12-800 | 10000 | ST | 15+ | TO-220 |
| LPV321M5 | 6210 | NSC | 16+ | SOT-23-5 |
| PCF2123TS/1 | 12640 | 16+ | TSSOP | |
| M24C02-RMN6TP | 38000 | ST | 10+ | SOP |
| LMH0344SQE | 2405 | チタニウム | 13+ | LLP-16 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|