HCPL-3120電子線形集積回路は出力電流IGBTのゲート ドライブ オプトカプラーを
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
2.0 Ampは出力電流IGBTのゲート ドライブ オプトカプラーHCPL-3120を
特徴
•2.0 Aの最低のピーク出力の流れ
•15 kV/µsの最低の共通モード拒絶(CMR)のVCM = 1500ボルト
•0.5 Vの最高の低レベルの出力電圧(VOL.)は否定的なゲート ドライブのための必要性を除去する
•ICC = 5 mAの最高の供給の流れ
•ヒステリシスを用いる電圧閉鎖保護(UVLO)の下
•広く作動のVCC範囲:15から30ボルト
•500のnsの最高の切り替え速度
•産業温度較差:-40°Cへの100°C
•安全承認
確認されるUL - UL1577ごとの1分の2500ボルトrms
CSAの承認
と承認されるVDE 0884 VIORM = 630 Vpeak (のみ選択060)
適用
•隔離されたIGBT/MOSFETのゲート ドライブ
•ACおよびブラシレスDCモーター ドライブ
•産業インバーター
•スイッチ モード電源(SMPS)
記述
HCPL-3120は光学的に出力の段階が付いている集積回路につながれるGaAsP LEDから成っている。このオプトカプラーは運転運動制御インバーター塗布で使用される力IGBTsおよびMOSFETsに理想的に適する。出力段階の高い作動の電圧範囲はによって必要なドライブ電圧をゲート制御装置を提供する。このオプトカプラーによって供給される電圧および現在は理想的に直接1200 V/100 A.まで評価のIGBTsを運転するために適するそれを作る。より高い評価のIGBTsのためにIGBTのゲートを運転する分離した力の段階を運転するのに、HCPL-3120が使用することができる。
機能図
絶対最高評価
変数 | 記号 | Min. | 最高。 | 単位 | ノート |
---|---|---|---|---|---|
保管温度 | TS | -55 | 125 | °C | |
実用温度 | TA | -40 | 100 | °C | |
平均入力電流 | (AVG) | 25 | mA | 1 | |
ピーク一時的な入力電流 (<1> |
(TRAN) | 1.0 | |||
逆の入れられた電圧 | VR | 5 | V | ||
「高い」ピーク出力の流れ | IOH (ピーク) | 2.5 | 2 | ||
「低い」ピーク出力の流れ | IOL (ピーク) | 2.5 | 2 | ||
供給電圧 | (VCC - V) | 35 | V | ||
出力電圧 | VO | VCC | V | ||
出力電力消滅 | PO | 250 | MW | 3 | |
全体の電力損失 | PT | 295 | MW | 4 | |
鉛のはんだの温度 | 10秒の260°C。、着席の平面の下の1.6 mm | ||||
はんだの退潮の温度プロフィール | パッケージの外形図セクションを見なさい |
注:
1. 0.3 mA/°C.のレートで70°C自由空気温度の上で直線に軽減しなさい。
2. 最高の脈拍幅= 10のµs、最高の使用率= 0.2%。この価値はIOのピークの最低の設計の構成の許容を可能にするように= 2.0 A.意図されている。IOHのピークの制限の追加詳細については適用セクションを見なさい。
3. 4.8 mW/°C.のレートで70°C自由空気温度の上で直線に軽減しなさい。
4. 5.4 mW/°C.のレートで70°C自由空気温度の上で直線に軽減しなさい。最高LEDの接合部温度は125°C.を超過するべきではない。
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
XC3S50AN-4TQG144C | 2792 | XILINX | 16+ | QFP144 |
XC6206P252MR | 50000 | TOREX | 13+ | SOT-23 |
XC6SLX45-2FGG484I | 634 | XILINX | 16+ | BGA |
XC6SLX45-3CSG324I | 742 | XILINX | 16+ | BGA |
XC6SLX75-2FGG484C | 850 | XILINX | 12+ | BGA |
XC6SLX75-2FGG484I | 688 | XILINX | 15+ | BGA |
XC6SLX9-2TQG144C | 3437 | XILINX | 16+ | TQFP144 |
XC7A50T-1FGG484I | 661 | XILINX | 16+ | BGA |
XC7K410T-2FFG676I | 110 | XILINX | 16+ | BGA676 |
XC7K410T-2FFG900I | 155 | XILINX | 16+ | BGA |
XC95144XL-10TQG144C | 3656 | XILINX | 16+ | QFP144 |
XC95288XL-10TQG144C | 2446 | XILINX | 16+ | QFP144 |
XC9572XL-10PC44C | 1707 | XILINX | 15+ | PLCC44 |
XC9572XL-10PCG44C | 4716 | XILINX | 13+ | PLCC44 |
XC9572XL-10VQG44C | 8811 | XILINX | 16+ | TQFP-44 |
XCF04SV0G20C | 6509 | XILINX | 16+ | TSSOP-20 |
XCF32PVOG48C | 1120 | XILINX | 15+ | TSOP-48 |
XCR3032XL-10VQG44C | 5900 | XILINX | 16+ | QFP44 |
XFL4020-472MEC | 13112 | COILCRAFT | 13+ | SMD |
XL0840 | 51000 | ST | 14+ | TO-92 |
XL4015E1 | 4296 | XLSEMI | 16+ | TO263-5L |
XL6009E1 | 6277 | XLSEMI | 16+ | TO263-5L |
XMSS1T3G0PA-006 | 2036年 | 村田 | 15+ | QFN |
XR21V1414IM48-F | 6734 | EXAR | 16+ | TQFP-48 |
XTR105PA | 1603 | チタニウム | 15+ | DIP-14 |
XTR110AG | 310 | チタニウム | 16+ | DIP-16 |
XYAB2327 | 1930年 | オリベッティ | 15+ | QFP256 |
Z0103MA 5AL2 | 57000 | ST | 15+ | TO-92 |
Z0109MN 5AA4 | 16000 | ST | 10+ | SOT-223 |
Z0109MNO | 40000 | 13+ | SOT-223 |

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
---|---|---|---|
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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