16 MHz AT86RF212-ZU 電子 IC チップ完全統合トランシーバー
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
AT86RF212
IEEE 802.15.4-2006、ZigbeeTM、および ISM アプリケーション用の低電力 800/900 MHz トランシーバー
特徴
• 完全に統合された800/900 MHz帯域トランシーバー
- 863 ~ 870 MHz の欧州 ISM 帯域
- 北米 ISM 帯域 902 ~ 928 MHz
• 異なる変調とデータレートによるダイレクトシーケンススペクトラム拡散
- 20 および 40 kbit/s の BPSK (IEEE 802.15.4-2006 に準拠)
- 100 および 250 kbit/s の O-QPSK (IEEE 802.15.4-2006 に準拠)
- 200、400、500、および 1000 kbit/s PSDU データ レートの O-QPSK
• 周波数帯域とデータレートの柔軟な組み合わせ
• 業界をリードするリンク予算
- 最大 -110 dBm の受信感度
- 最大 +10 dBm までプログラム可能な TX 出力パワー
• 1.8V~3.6Vの低電源電圧
- 内部電圧レギュレーターとバッテリーモニター
• 低消費電流
- スリープ = 0.2μA
- TRX_OFF = 0.4mA
- RX_ON = 9mA
- TX_ACTIVE = 19 mA (PTX = 5 dBm の場合)
• デジタルインターフェース
- SPI 経由でアクセス可能なレジスタ、フレーム バッファ、および AES
- レートを設定可能なクロック出力
• 無線トランシーバーの機能
- 調整可能な受信感度
- 統合されたTX/RXスイッチ、LNA、およびPLLループフィルター
- 周波数ホッピングをサポートする高速セトリング PLL
- 自動 VCO およびフィルター キャリブレーション
- 16 MHz 水晶発振器を内蔵
- 送信/受信用の 128 バイト FIFO
• IEEE 802.15.4-2006 ハードウェアのサポート
- FCSの計算とチェック
- 明確なチャネル評価
- 受信信号強度インジケーター、エネルギー検出、およびリンク品質インジケーター
• MAC ハードウェア アクセラレータ
- 自動確認応答、CSMA-CA、および再送信
- 自動フレームフィルタリング
• AES 128 ビット ハードウェア アクセラレータ (ECB および CBC モード)
• 拡張機能セットのハードウェア サポート
- セキュリティ アプリケーション向けの真の乱数生成
- TX/RX 表示 (外部 RF フロントエンド制御)
- MAC ベースのアンテナ ダイバーシティ
• 低BoMコストと生産の容易さのために最適化
- 少ない外付け部品数: アンテナ、基準水晶振動子、およびバイパス コンデンサ
- 優れたESD耐性
• 工業用温度範囲 -40°C ~ +85°C
• 32ピン薄型鉛フリープラスチックQFNパッケージ、5.0 x 5.0 x 0.9 mm3
• IEEE 802.15.4-2003 および IEEE 802.15.4-2006、ETSI EN 300 220-1、および FCC 47 CFR セクション 15.247 に準拠
絶対最大定格
シンボル | パラメータ | 状態 | 分。 | 典型的。 | 最大。 | 単位 |
Tストア | 保管温度 | -50 | 150 | ℃ | ||
T鉛 | リード温度 | T = 10s IPC/JEDEC J-STD-020B に準拠したはんだ付けプロファイル | 260 | ℃ | ||
VESD | ESD耐性 |
[3]に準拠 [4]に準拠 |
4 750 |
kV V |
||
PRF | 入力RFレベル | 10 | dBm | |||
V掘る |
ピン 4、5、13、14、29 を除くすべてのピンの電圧 |
-0.3 | VCC+0.3 ≦ 4.0 | V | ||
VANA | ピン 4、5、13、14、29 の電圧 | -0.3 | 2 | V |
注: 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を与える可能性があります。これはストレス定格のみであり、これらの条件またはこの仕様の動作セクションに示されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。
ピン配置
AT86RF212のピン配列図
株式公開(ホットセル)
部品番号 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
SN74LS90N | 19716 | MOT | 16歳以上 | 浸漬 |
TZ03R200FR169 | 11820 | 村田 | 16歳以上 | 浸漬 |
TZ03R300FR169 | 8096 | 村田 | 04+ | 浸漬 |
PS2633 | 8224 | NEC | 16歳以上 | 浸漬 |
UPC4072C | 3508 | NEC | 15歳以上 | 浸漬 |
UPC624C | 12172 | NEC | 16歳以上 | 浸漬 |
UPD71051C | 1811年 | NEC | 10+ | 浸漬 |
UPD78P018FCW | 1001 | NEC | 14歳以上 | 浸漬 |
UPD8279C-2 | 899 | NEC | 10+ | 浸漬 |
TEA1506P | 6768 | 16歳以上 | 浸漬 | |
SG3525AN | 3552 | の上 | 16歳以上 | 浸漬 |
UC2842BN | 8186 | の上 | 16歳以上 | 浸漬 |
UC3842BN | 12632 | の上 | 12歳以上 | 浸漬 |
UC3843AN | 15728 | の上 | 16歳以上 | 浸漬 |
UC3844BN | 11804 | の上 | 12歳以上 | 浸漬 |
UC3844BNG | 9752 | の上 | 16歳以上 | 浸漬 |
UC3845BN | 11876 | の上 | 15歳以上 | 浸漬 |
ST1-DC12V-F | 827 | パナソニック | 16歳以上 | 浸漬 |
TDA17821 | 8836 | パナソニック | 14歳以上 | 浸漬 |
SIP-1A05 | 8756 | パンチャン | 16歳以上 | 浸漬 |
SCN68681C1N40 | 16176 | ファイ | 13歳以上 | 浸漬 |
TDA4841PS | 16260 | ファイ | 16歳以上 | 浸漬 |
TEA1064A/C2 | 9492 | フィリップス | 10+ | 浸漬 |
TNY267PN | 14878 | 力 | 16歳以上 | 浸漬 |
TNY278PN | 22384 | 力 | 16歳以上 | 浸漬 |
TNY287PG | 7200 | 力 | 16歳以上 | 浸漬 |
RUEF185 | 10800 | レイケム | 16歳以上 | 浸漬 |
RUEF400 | 27000 | レイケム | 16歳以上 | 浸漬 |
RUEF500 | 10500 | レイケム | 16歳以上 | 浸漬 |
RUEF900 | 18284 | レイケム | 13歳以上 | 浸漬 |
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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||
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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