SN74HC04N電子ICは統合された部品の六角形のインバーターを欠く
electronic integrated circuit
,linear integrated circuits
標準的な提供(熱い販売法)
部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
SHT10 | 3842 | SENSIRIO | 14+ | SOP-8 |
STM32F103VET6 | 3834 | ST | 14+ | LQFP100 |
TB6517AF | 3826 | SANKYO | 14+ | QFP |
TEA3718DP | 3818 | ST | 16+ | DIP16 |
TLE5216G | 3810 | 16+ | SOP20 | |
PIC16F57-I/P | 3802 | マイクロチップ | 13+ | すくい |
TCM129C13ADW | 3794 | チタニウム | 15+ | SOP20 |
XC9572XL-10PCG44C | 502 | XILINX | 16+ | PLCC |
9977GM | 520 | APEC | 16+ | SOP8 |
HD14024BP | 520 | 日立 | 14+ | DIP-14 |
KSZ8995XA | 520 | MICREL | 14+ | QFP |
L4973D3.3 | 520 | ST | 14+ | SOP20 |
MA3810 | 520 | SHINDENG | 16+ | ZIP-7 |
MP4303 | 520 | 東芝 | 16+ | ジッパー |
P8255A-5 | 520 | INTEL | 13+ | DIP-40 |
XTR105UA | 520 | チタニウム | 15+ | SOP-14 |
MIC29712BT | 521 | MICREL | 16+ | TO-220 |
FQA55N25 | 527 | FSC | 16+ | TO-247 |
C8051F020-GQR | 555 | ケイ素 | 14+ | TQFP-100 |
MAX232DR | 555 | チタニウム | 14+ | SOP16 |
HMC316MS8 | 570 | ヒッタイト人 | 14+ | MSOP8 |
OPA2333AIDR | 571 | チタニウム | 16+ | QFN |
ADC0808CCN | 580 | NS | 16+ | すくい |
CX77304-16P | 580 | SKYWOR | 13+ | QFN |
AT24C512BN-SH25-T | 600 | ATMEL | 15+ | SOP8 |
MCP6044-I/SL | 600 | マイクロチップ | 16+ | SOP |
TL16C752BPT | 607 | チタニウム | 16+ | QFP |
UPC451C | 611 | NEC | 14+ | すくい |
MC56F8006VLC | 633 | FREESCALE | 14+ | LQFP-32 |
A7800A | 665 | AVAGO | 14+ | DIP8 |
SN54HC04、SN74HC04
六角形のインバーター
- 広作動の電圧範囲2ボルトから6ボルト
- 出力は10のLSTTLの負荷に運転できる
- 低い電力の消費、20-µA最高のICC
- 典型的なtpd = 8 ns
- ±4 mAは5ボルトでドライブを出力した
- 最高1つのµAの低い入力電流
記述
『HC04装置は6つの独立したインバーターを含んでいる。それらは肯定的な論理でブール関数をY = A行う。
作動の自由空気温度較差上の絶対最高評価
(通知がなければ) †
供給電圧の範囲、VCC………………………………………。 – 0.5ボルトから7ボルト
入れられたクランプ流れ、IIK (VI< 0="" or="" V=""> I > VCC) (ノート1)を………………………見なさい。±20 mA
出力クランプ流れ、IOK (VO< 0="" or="" V=""> O > VCC) (ノート1)を……………………見なさい。±20 mA
連続的な出力電流、IO (VO = 0からVCC)…………。……………………。±25 mA
VCCまたはGND…………………………………… ±50 mAを通した連続的な流れ
パッケージの熱インピーダンス、θJA (ノート2)を見なさい:Dのパッケージ……………………。86 °C/W
Nのパッケージ……………………。80 °C/W
NSのパッケージ……………………。76 °C/W
PWのパッケージ…………………… 113 °C/W
保管温度の範囲、Tstg…………………………………。 – 65°Cへの150°C
†は「絶対最高評価の下に」リストされているそれらを越えて装置への永久的な損害を与えるかもしれない重点を置く。これらは圧力の評価だけであり、これらの装置または「推薦された作動条件の下で」示されるそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されない。長期の絶対最高評価される条件への露出は装置信頼性に影響を与えるかもしれない。
注:
1. 入出力電圧評価は入出力現在の評価が観察されれば超過するかもしれない。
2. パッケージの熱インピーダンスはJESD 51-7に従って計算される。

0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL

200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける

22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業

MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路

2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター

IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A

DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード

PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123

SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC

SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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