SN74LVC2G241DCURの電子工学ICは集積回路ICの部品を欠く
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
特徴
テキサス・インスツルメントNanostarおよびNonaFree Pakagesで利用できる
5-V Vcc操作を支える
入力は5.5VにVolagetsを受け入れる
3.3Vの4.1nsの最高のtpd
低い電力の消費、10 uA最高のICC
+ 24 mAは3.3Vでドライブを出力した
典型的なVolp （出力地上の跳ね上がり） <0>
典型的なVohv （Vcc=3.3V Ta= 25°Cの出力VohのUndershoot） >2V
Ioffは部分的力モード操作を支える
Latch-upの性能はJESD 78のクラスごとの100mAをII超過する
ESDの保護はJESD 22を超過する
− 2000-V人間ボディ モデル（A114-A）
− 200-Vの機械モデル（A115-A）
− 1000-V満た装置モデル（C101）
作動の自由空気温度較差上の絶対最高評価
（通知がなければ） †
供給電圧の範囲、VCC −0.5 Vから6.5 V
入れられた電圧範囲、VI （ノート1） −0.5 Vに6.5を見なさい
電圧範囲はhigh-impedanceまたはパワー州のあらゆる出力に適用した、
VO （ノート1）を…………………………………見なさい。−0.5 Vから6.5 V
電圧範囲は高くか低い州のあらゆる出力に適用した、
VO （V.にノート1および2） −0.5 Vを……………………見なさい。CC + 0.5ボルト
入れられたクランプ流れ、IIK （VI < 0="">
出力クランプ流れ、IOK （VO < 0="">
連続的な出力電流、IO………………………… ±50 mA
VCCまたはGNDを通した連続的な流れ………。±100 mA
パッケージの熱インピーダンス、θJA （ノート3）を見なさい:DCTのパッケージ220 °C/W
DCUのパッケージ227 °C/W
YEA/YZAのパッケージ140 °C/W
YEP/YZPのパッケージ102 °C/W
保管温度の範囲、150°CへのTstg −65の°C
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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