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MC14070BDR2Gの電子工学ICは集積回路ICの部品を欠く

メーカー:
製造者
記述:
ICのゲートXOR 4CH 2-INP 14SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
温度較差:
-65°Cへの+125°C
支払の言葉:
T/T、Paypal、ウェスタン・ユニオン
電圧:
-0.5から+18.0
現在:
+-10A
パッケージ:
SOP-14
工場パッケージ:
巻き枠
ハイライト:

digital integrated circuits

,

linear integrated circuits

導入
MC14070BDR2Gの電子工学ICは集積回路ICの部品を欠く
CMOS SSIのクォードの独占記事「または」および「」ゲート

MC14070Bのクォードの独占記事かゲートおよびMC14077Bのクォードの独占記事ゲートはMOS P−channelおよび単一の単一構造のN−channelの強化モード装置によって組み立てられる。これらの補足MOSの論理回路は低い電力の消滅や高いノイズ耐性が望まれる第一次使用を見つける。

特徴

•供給電圧の範囲= 3.0 Vdcから18 Vdc

•すべての出力は緩衝した

•2つを運転することができる

Low−Power TTLの負荷か1つ

評価される温度較差上のLow−PowerショットキーTTLの負荷

•すべての入力の二重ダイオードの保護

•CD4030BおよびCD4070BのタイプのためのMC14070Bの−の取り替え

•CD4077BのタイプのためのMC14077Bの−の取り替え

•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である

最高の評価(VSSに参照される電圧)

記号 変数 価値 単位

Vdd

DCの供給電圧の範囲 -0.5から+18.0 V
Vin Vout 入力または出力電圧範囲(DCかトランジェント) Vdd+0.5への-0.5 V
Iin Iout Pinごとの入力または出力電流(DCかトランジェント) +-10 mA

PD

パッケージ1個あたりの電力損失、 500 MW
TA 周囲温度の範囲 -55から+125 °C
Tstg 保管温度の範囲 -65から+150 °C
TL 鉛の温度 260 °C

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