IRF640NSTRLPBFは共通ICがデジタルIC回路を欠く加工技術を進めた
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 200 V 18A （Tc）の150W （Tc）表面の台紙D2PAK
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V:
13 A
脈打った下水管の流れ:
? 72 A
電力損失:
150 W
ハイライト:
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
導入
物品目録
| MRF184 | 6393 | MOT | 14+ | SMD |
| MURS140 | 25000 | 16+ | DO-214 | |
| BGY68 | 3500 | 14+ | MOKUAI | |
| PESD5V2S2UT | 25000 | 16+ | SOT | |
| LM26CIM5-TPA | 5000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| CM1200HB-66H | 213 | MITSUBI | 14+ | モジュール |
| LPC11C24FBD48 | 4833 | 15+ | LQFP-48 | |
| CM30TF-24H | 313 | MITSUBI | 15+ | モジュール |
| 7MBR50SB120 | 230 | 富士 | 12+ | モジュール |
| MAX209EWG | 7850 | 格言 | 14+ | SOP |
| LXT970AQC | 4907 | LEVELONE | 10+ | QFP |
| MSP430FG4619IPZ | 6834 | チタニウム | 16+ | LQFP |
| NCP1052ST136T3G | 9280 | 16+ | SOT-223 | |
| MAX17121ETG | 6550 | 格言 | 16+ | QFN |
| MAC97A6 | 25000 | 16+ | TO-92 | |
| MPC89E58AF | 5910 | MEGAWIN | 16+ | PQFP |
| CS4398-CZZR | 2234 | 毛状突起 | 15+ | TSSOP |
| LC4064V-75TN100-10I | 3070 | 格子 | 15+ | QFP |
| ME0550-02DA | 595 | IXYS | 14+ | IGBT |
| MDD26-14N1B | 5902 | IXYS | 16+ | IGBT |
| MT9V024IA7XTM | 2499 | 15+ | BGA | |
| MCC21-1408B | 4756 | IXYS | 14+ | IGBT |
| CM100DU-24NFH | 378 | MITSUBI | 15+ | モジュール |
| 6RI100E-080 | 958 | 富士 | 15+ | モジュール |
| PM150RSD060 | 250 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PK160F-160 | 120 | SANREX | 11+ | モジュール |
| LC540 | 3081 | チタニウム | 15+ | TSSOP |
| OP20FZ | 596 | 広告 | 16+ | CDIP |
| PCA9554PWR | 12420 | チタニウム | 16+ | TSSOP |
| M1494NC180 | 479 | WESTCODE | 14+ | モジュール |
| LM4890MM | 30000 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
| MHW6342T | 6304 | MOT | 15+ | CATV |
| CM450HA-5F | 233 | MITSUBI | 14+ | モジュール |
| PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
HEXFET®力MOSFET
か。►高度プロセス
►技術か。動的dv/dtの評価か。
►175°C実用温度か。
►速い切換えか。
►評価される十分になだれか。
►平行になる容易さか。
►簡単なドライブ条件
►か。無鉛
記述
国際的な整流器からの第5世代HEXFET®力のMOSFETsはケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗を達成するのに高度の加工の技巧を利用する。HEXFET力のMOSFETsが有名である高耐久化された装置設計および速い切り替え速度と結合されるこの利点はいろいろ適用の使用に非常に有効な、信頼できる装置を、デザイナーに与える。
TO-220パッケージはおよそ50ワットへの電力損失のレベルのすべての商業産業適用のために一般に好まれる。TO-220の低い熱抵抗そして低いパッケージの費用は企業中の広い受諾に貢献する。
D2PakはHEX-4まで死ぬ収容するサイズことができる表面の台紙力のパッケージである。それはあらゆる既存の表面の台紙のパッケージの高い発電の機能そして最も低く可能なonresistanceを提供する。D2Pakは低い内部関係の抵抗のために高い現在の適用のために適して、典型的な表面の台紙の塗布の2.0Wまで散ることができる。
によ穴版（IRF640NL）は控えめな適用のために利用できる
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
5pcs