SFH6106-3集積回路の破片オプトカプラー、フォトトランジスターの出力、高い信頼性、5300 VRMS
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
SFH610A/SFH6106
オプトカプラー、フォトトランジスターの出力、高い信頼性、5300 VRMS
特徴
•前方流れによるよいCTRの直線性
•分離テスト電圧、5300 VRMS
•高いCollector-Emitter電圧、VCEO = 70ボルト
•低い飽和電圧
•速い転換の時
•低いCTRの低下
•温度の馬小屋
•低い連結キャパシタンス
•終り積み重ね可能、0.100" （2.54 mm）間隔
•高い共通モード干渉の免除
•鉛（Pb）のなしの部品
•RoHS 2002/95/ECおよびWEEE 2002/96/ECへの調和の部品
代理店の承認
•UL1577、ファイルNO E52744のシステム・コードHまたはJの二重保護
•DIN EN 60747-5-2 （VDE0884）
未決DIN EN 60747-5-5
選択1と利用できる
•CSA 93751
•BSI IEC60950 IEC60065
記述
SFH610A （すくい）およびSFH6106 （SMD）は高い現在の移動比率、低い連結キャパシタンスおよび高い分離の電圧を特色にする。これらのカプラーはケイ素の平面のフォトトランジスターの探知器に光学的につながれる、備えプラスチックDIP-4またはSMDのパッケージで組み込まれるGaAsの赤外線ダイオードのエミッターを。連結装置は2つの電気で分けられた回路間の信号伝達のために設計されている。カプラーは間隔2.54 mmのと終り積み重ね可能である。
> 8.0 mmの表面漏れおよび整理の間隔は選択6.と達成される。この版は補強された絶縁材のためのIEC 60950 （DIN VDE 0805）に400 VRMSまたはDCの操作の電圧まで従う。変更に応じる指定。
絶対最高評価
Tamb = 25 °C、他に特に規定がなければ
絶対最高評価以上の圧力は装置への永久的な損害を与えることができる。装置の機能操作はこの文書の操作上セクションで与えられるそれら以上これらまたは他のどの条件でも意味されない。時間の長期の絶対最高評価への露出は不利に信頼性に影響を与えることができる。
入力
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
| 逆電圧 | VR | 6.0 | V | |
| 現在の先のDC | 60 | mA | ||
| 現在を先に波立たせなさい | tの≤ 10のµs | IFSM | 2.5 | |
| 電力損失 | Pdiss | 100 | MW |
出力
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
| Collector-emitter電圧 | VCE | 70 | V | |
| エミッター コレクターの電圧 | VEC | 7.0 | V | |
| コレクター流れ | IC | 50 | mA | |
| tの≤ 1.0氏 | IC | 100 | mA | |
| 電力損失 | Pdiss | 150 | MW |
カプラー
| 変数 | テスト条件 | 記号 | 価値 | 単位 |
| エミッターと探知器間の分離テスト電圧は、気候DIN 40046、部分11月2日を示す。74 | VISO | 5300 | VRMS | |
| 表面漏れ | ≥ 7.0 | mm | ||
| 整理 | ≥ 7.0 | mm | ||
| エミッターと探知器間の絶縁材の厚さ | ≥ 0.4 | mm | ||
| DIN IEC 112/VDEO 303、パート1ごとの比較追跡索引 | ≥ 175 | |||
| 分離の抵抗 | VIO = 500ボルト、Tamb = 25 °C | リオ | ≥ 1012 | Ω |
| VIO = 500ボルト、Tamb = 100 °C | リオ | ≥ 1011 | Ω | |
| 保管温度の範囲 | Tstg | - 55への+ 150 | °C | |
| 周囲温度の範囲 | Tamb | - 55への+ 100 | °C | |
| 接合部温度 | Tj | 100 | °C | |
| はんだ付けする温度 | 最高。平らな≥をつけることへの1.5 mm 10のs.のすくいのはんだ付けする間隔 | Tsld | 260 | °C |
インチ（mm）のパッケージ次元
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|