FDS8858CZの集積回路の破片ICの電子工学のオリジナルのダイオードICの破片
メーカー:
製造者
記述:
Mosfetの配列30V 8.6Aの7.3A 900mWの表面の台紙8-SOIC
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
温度較差:
– +150 °Cへの55°C
典型的な熱抵抗:
-7.3A
電圧:
-30V
前方サージ電流:
40-78 °C/w
パッケージ:
SOP-8
工場パッケージ:
巻き枠
ハイライト:
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
導入
FDS8858CZ
二重N及びP-ChannelのPowerTrench® MOSFETのN-Channel:30V、8.6A、17.0mΩ
P-Channel:-30V、-7.3A、20.5mΩ
特徴
Q1:N-Channelの最高rDS （） = 17mΩのVGS = 10VのID = 8.6A
最高rDS （） = 20mΩのVGS = 4.5V、ID = 7.3A Q2:P-Channelの
最高rDS （） = 20.5mΩのVGS = -10VのID = -7.3Aの
最高rDS （） = 34.5mΩのVGS = -4.5VのID = -5.6Aの
広く利用された表面の台紙のパッケージの高い発電および渡す機能
速い転換のspeedt
概説
これらの二重NおよびP-Channelの強化モード力のMOSFETsはフェアチャイルドの半導体のオン州の抵抗を最小にするために特に合った今までのところでは優秀な転換の性能を維持するために作り出される高度のPowerTrenchプロセスを使用して。これらの装置は低電圧および低いインライン電源切れおよび速い切換えが要求される電池式の適用のためにうってつけである。
適用
インバーターの同期木びき台
絶対最高評価
通知がなければTA = 25°C
| 記号 | 変数 | Q1 | Q2 | 単位 |
| VDS | 源の電圧に流出させなさい | 30 | -30 | V |
| VGS | 源の電圧へのゲート | ±20 | ±25 | V |
| ID | 現在を-連続的TA = 25°C流出させなさい | 8.6 | -7.3 | |
| -脈打つ | 20 | -20 | ||
| Pd | 双対演算のための電力損失 | 2.0 | w | |
| 半二重操作のための電力損失 TA = 25°C | 1.6 | |||
| TA = 25°C | 0.9 | |||
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | -55から+150 | °C | |
物品目録の部分
| MAX232EIDR | チタニウム | 62AY3FM/1608 | SOP-16 |
| BCV29 E6327 | 1237/EF | SOT-89 | |
| REDE 330R RP164PJ331CS | サムスン | 20160822 | smd0603*4 |
| REDE 1K RP164PJ102CS | サムスン | 20160816 | smd0603*4 |
| RES 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L | YAGEO | 1627 | SMD1210 |
| C.I SN74LS244N | チタニウム | 64ACSOK | DIP-20 |
| C.I P80C31SBPN | 0935+ | DIP-40 | |
| C.I AT89C51-24PI | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| C.I LM2575T-5.0/NOPB | チタニウム | 61AY9TOE3 | TO-220 |
| C.I M27C512-10F1 | ST | 9G003 | CDIP-28 |
| C.I 74HC245DB、118 | 1618/1619 | SSOP-20 | |
| MCP130T-315I/TT | マイクロチップ | PLEP | SOT23-3 |
| DIODO TPD4E001DBVR | チタニウム | NFYF | SOT23-6 |
| C.I SN74LS374N | チタニウム | 1523+5/56C0DZK/56C0E3K | DIP-20 |
| C.I MIC2937A-3.3BU | MICREL | 9834 | TO-263 |
| C.I SN74LS138N | チタニウム | 67CGG1K | DIP-16 |
| DIODO DF10 | 9月 | 1613 | DIP-4 |
| DIODO SS14-E3/61T | VISHAY | 1520/S4 | SMA |
| RES 33K 1% RC0603FR-0733KL |
YAGEO | 1545 | SMD0603 |
| 帽子10UF 16V X5R 10% GRM21BR61C106KE15L |
村田 | IA6817YW3 | SMD0805 |
| 帽子0603 100NF 50V X7R 06035C104KAT2A | AVX | 1630 | SMD0603 |
| RES 2512 3R6 5% RC2512JK-073R6L | YAGEO | 1631 | SMD2512 |
| RES 1210 4R7 5% RC1210JR-074R7L | YAGEO | 1627 | SMD1210 |
| RES 1210 3R3 5% RC1210JR-073R3L | YAGEO | 1627 | SMD1210 |
| DIODO BZX84-C5V1 | 1601/Z2W | SOT-23 | |
| DIODO BZX84-C6V2 | 1517/Z4W | SOT-23 | |
| RES 10K 5% RC0805JR-0710KL |
YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| センサーKTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
| C.I AD767JN | 広告 | 0604+ | DIP-24 |
| トライアックBT151-500R | 603 | TO-220 |
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標準的:
MOQ:
100pcs