HCNR201集積回路の破片の高直線性のアナログ オプトカプラー
electronic integrated circuit
,digital integrated circuits
記述
HCNR200/201高直線性アナログ オプトカプラーは2つの密接に一致させたフォトダイオードを照らす高性能AlGaAs LEDから成っている。従って監視し、安定するのに入力フォトダイオードがLEDの光熱出力使用することができる。その結果、LEDの非直線性そして漂流の特徴は事実上除去することができる。出力フォトダイオードはLEDの光熱出力と直線に関連しているphotocurの賃貸料を作り出す。フォトダイオードの近い一致およびパッケージの高度の設計はoptoカプラーの高い直線性そして安定した利益特徴を保障する。
HCNR200/201がよい安定性、直線性、帯域幅および安価を要求するいろいろ適用のアナログ信号を隔離するのに使用することができる。HCNR200/201は非常に、適用回路のapproのpriateの設計によって、exible fl多くのdiff erentモードで作動することができる、含んでいるingを:非逆になることを逆にすること単極/両極、ac/dcおよび。HCNR200/201は多くのアナログのisolaのtion問題のための優秀な解決である。
特徴
の低い非直線性:0.01%
K3 （IPD2/IPD1）の移動の利益HCNR200:±15% HCNR201:±5%
のcient低い利益温度のcoeffi:-65 ppm/°C
の広い帯域幅– DCへの>1 MHz
の世界的な安全承認
–確認されるUL 1577 （5 kV rms/1の最低の評価）
– CSAは承認した
– IEC/EN/DIN EN 60747-5-2は承認したVIORM = 1414ボルトのピーク（選択#050）
の利用できる表面の台紙の選択（選択#300）
8 Pinのすくいのパッケージ- 0.400"間隔
はflにexible回路設計を与える
パッケージの外形図
絶対最高評価
保管温度.............................................................................................. - 55°Cへの+125°Cの実用温度（TA） ................................................................................. -55°Cへの+100°Cの接合部温度（TJ） ......................................................................................................... 125°C Reflのowの温度Profi leは10sについては..............................................パッケージの外形図セクション鉛のはんだの温度............................................................................................ 260°Cを見る
（着席の平面まで）
平均は- ........................................................................................................ 25 mAのピークが入力電流を入力電流を- ............................................................................................................... 40 mA
（50のnsの最高の脈拍幅）
逆の入れられた電圧- VR ............................................................................................................ 2.5ボルト
（IR = 100 μA、Pin 1-2）
入力パワーの消滅.................................................................................... 60 MW @ TA = 85°C
（85°C）の上の実用温度のための2.2 mW/°Cで軽減しなさい
逆の出力フォトダイオード電圧........................................................................................ 30ボルト
（Pin 6-5）逆の入れられたフォトダイオード電圧............................................ 30ボルト
（Pin 3-4）
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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