スパルタ式3 FPGA家族の集積回路は完全なデータ用紙XC3S400-4PQG208Cを欠く
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Spartan™-3 FPGA家族:完全なデータ用紙
特徴
•非常に安価、大量の、消費者志向の適用のための高性能論理の解決
- 74,880個の論理の細胞高い密度
- 3つの力の柵:中心（1.2V）、I/Os （1.2Vへの3.3Vのため）、および補助目的（2.5V）
•SelectIO™シグナリング
- 784までの入力/出力ピン
-入力/出力ごとの622 Mb/sのデータ転送率
- 18の片端接地信号の標準
- LVDS、RSDSを含む6つの差動入力/出力の標準
-ディジタル式のインピーダンスによる終了
- 1.14Vから3.45Vまで及ぶ信号の振動
-二重データ転送速度（DDR）サポート
•論理資源
-シフト レジスタの機能の豊富な論理の細胞
-広い多重交換装置
-速い先読み論理を運ぶため
-専用されていた18 x 18の乗数
- IEEE 1149.1/1532と互換性があるJTAGの論理
•SelectRAM™の階層的な記憶
-総ブロックのRAMの1,872までKbits
-総分散RAMの520までKbits
•デジタル時計のマネージャー（4までDCMs）
-時計の斜めの除去
-頻度統合
-高リゾリューション段階の転移
•8つの全体的な時計ラインおよび豊富な旅程
•Xilinx ISEの開発機構によって十分に支えられて
-統合、地図を描くこと、配置および誘導
•MicroBlaze™プロセッサ、PCIおよび他の中心
•Pbなしの包装の選択
•ローパワー スパルタ式3L家族および自動車スパルタ式3 XA家族の選択
DCの電気特徴
このセクションでは、指定は先発、予備、または生産として示されるかもしれない。これらの言葉は次の通り定義される:
前進:最初の見積もりは他の家族の特徴からのシミュレーション、早い性格描写、および/または外挿に基づいている。価値は変更に応じてある。見積もりとして、ない生産のための使用。
予備:性格描写に基づく。それ以上の変更は期待されない。
生産:これらの指定はケイ素が多数の生産のロットに特徴付けられたら承認される。パラメータ値は期待される未来の変更無しで安定した考慮される。
すべての変数限界は最悪の場合の供給電圧および接合部温度の状態の代表である。次は通知がなければ適用する:すべてのSpartan™-3装置に適用するためにこのモジュールで出版されるパラメータ値。ACおよびDC特徴は商業および産業等級のために同じ数を使用して指定される。電圧を表すすべての変数はGNDに関して測定される。
ある指定は1つ以上修正のための異なった価値を死ぬリストする。すべての現在利用できるスパルタ式3装置は修正0として分類される。このモジュールへの未来の更新は修正必要とされるに応じて死ぬために更に導入する。
特定のスパルタ式3 FPGAがこのデータ用紙と機能的挙動か電気特徴で異なれば、それらの相違は別の誤り文書で記述されている。スパルタ式3のFPGAsのための誤り文書は生きている文書で、オンラインで手続きできる。
またこのモジュールのすべての指定スパルタ式3L家族（スパルタ式3家族のローパワー版）に適用するため。あらゆる相違のためのスパルタ式3Lのデータ用紙（DS313）を参照しなさい。
表1:絶対最高評価
| 記号 | 記述 | 条件 | 分 | 最高 | 単位 | |
| VCCINT | 内部供給電圧 | – 0.5 | 1.32 | V | ||
| VCCAUX | 補助供給電圧 | – 0.5 | 3.00 | V | ||
| VCCO | 出力運転者の供給電圧 | – 0.5 | 3.75 | V | ||
| VREF | 入れられた参照の電圧 | – 0.5 | VCCO + 0.5(3) | V | ||
VIN （2） | すべてのユーザー入力/出力ピンおよび二重目的ピンに適用される電圧 | high-impedance状態の運転者 | – 0.5 | VCCO + 0.5(3) | V | |
| すべての熱心なピンに適用される電圧 | – 0.5 | VCCAUX + 0.5(4) | V | |||
VESD | 静電放電の電圧 | 人体モデル | XC3S50 | -1500 | +1500 | V |
| 他 | -2000 | +2000 | V | |||
| 満たされた装置モデル | -500 | +500 | V | |||
| 機械モデル | XC3S50、XC3S400、XC3S1500 | -200 | +200 | V | ||
| TJ | 接合部温度 | VCCO< 3=""> | -- | 125 | °C | |
| VCCO > 3.0V | -- | 105 | °C | |||
| TSTG | 保管温度 | -65 | 150 | °C | ||
注:
1. 絶対最高評価の下にリストされているそれらを越える圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これらは圧力の評価だけである;これらの装置または推薦された作動条件の下にリストされているそれらを越える他のどの条件のも機能操作は意味されない。長時間の絶対最高評価の条件への露出は不利に装置信頼性に影響を与える。
2. 一般に、VINの限界信号のDCおよびAC部品両方に適用するため。簡単な適用解決は利用できることショー オーバーシュート/undershootを扱い、またPCIの承諾を達成する方法を。次のアプリケーション ノートを参照しなさい:「Virtex-IIのプロ設計の3.3V入力/出力の指針」を使用して「Virtex-II Pro™およびスパルタ式3 3.3V PCIの参照の設計」（XAPP653）および（XAPP659）。
3. 準銀行のVCCO力の柵からのすべてのユーザー入力/出力および二重目的ピン（DIN/D0、D1-D7、CS_B、RDWR_B、BUSY/DOUTおよびINIT_B）引くこと力。VINの最大限に合うことはこれらのピンのそれぞれとVCCOの柵の間にある内部ダイオードの接続点がつかないことを保障する。表5は最大限を定めるのに使用されるVCCOの範囲を指定したものだ。VCCOが最高の推薦された操作レベル（3.45V）にある時、最高VINは3.95Vである。酸化物の圧力を避ける最高の電圧はVINX = 4.05Vある。VINの最高の指定が合われる限り、酸化物の圧力は可能ではない。
4. VCCAUXの柵（2.5V）からのすべての熱心なピン（M0-M2、CCLK、PROG_B、HSWAP_EN、TCK、TDI、TDOおよびTMSされる）引くこと力。VINの最大限に合うことはこれらのピンのそれぞれとVCCAUXの柵の間にある内部ダイオードの接続点がつかないことを保障する。表5は最大限を定めるのに使用されるVCCAUXの範囲を指定したものだ。VCCAUXが最高の推薦された操作レベル（2.625V）にある時、最高VIN < 3="">
5. はんだ付けする指針のために、「装置」をwww.xilinx.com/bvdocs/userguides/ug112.pdfの包装および熱特徴見なさい。
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
| イメージ | 部分# | 記述 | |
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0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
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MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
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2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
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IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
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SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
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SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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