補足のケイ素力トランジスターMosfet半導体MJ15025G
メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 16 A 4MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Feature:
High Safe Operating Area (100% Tested) −2 A @ 80 V
DC Current:
High DC Current Gain − hFE = 15 (Min) @ IC = 8 Adc
Condition:
• Pb−Free
Package:
TO-204
Main Line:
Ic,module,transistor,diodes,capacitor,resistor Etc
Factory Pack:
100pcs/Tray
ハイライト:
low voltage power mosfet
,hybrid inverter circuit
導入
補足のケイ素力トランジスターMosfet半導体MJ15025G
PNPの− MJ15023、MJ15025*
ケイ素力トランジスター
MJ15023およびMJ15025は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用のために設計されているPowerBase力トランジスターである。
特徴
•高い安全運転区域（テストされる100%） −2 A @ 80ボルト
•高いDCの現在の利益−のhFE = 15 （分） @ IC = 8 Adc
•Pb−FreeのパッケージはAvailable*である
MJ1502x =デバイス・コード
x = 3か5
G = Pb−Freeのパッケージ
=アセンブリ位置
Y =年
WW =仕事週
MEX =生産国
発注情報
| 装置 | パッケージ | 船積み |
| MJ15023 | TO−204 | 100単位/皿 |
| MJ15023G |
TO−204 （Pb−Free） |
100単位/皿 |
| MJ15025 | TO−204 | 100単位/皿 |
| MJ15025G |
TO−204 （Pb−Free） |
100単位/皿 |
トランジスターのpowerhandling能力に2つの限定がある:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICが信頼できる操作のために観察されなければならないトランジスターの− VCE限ることを示す;すなわち、トランジスターはより大きい消滅にカーブが示すより服従してはならない。
図1のデータはTJ （pk）に= 200C基づいている;TCは条件によって可変的である。場合の高温で、熱限定は価値により少なく扱うことができる第2故障によって課された限定より力を減らす。
典型的な特徴
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
5pcs