新しい/元のNPN両極力Mosfetのトランジスター120ボルト2N1893 0.5 Ampsの
メーカー:
製造者
記述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-5AA
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Collector Current:
0.5 mA
Collector-Base Voltage:
120
Fast Switching:
30 nS
Meets:
MIL-S-19500/182
ハイライト:
electronic pressure sensors
,hall effect sensor ic
導入
| 評価 | 記号 | MAX. | 単位 |
| Collector-Emitter電圧 | VCEO | 80 | Vdc |
| Collector-Emitter電圧 | VCER | 100 | Vdc |
| Collector-Base電圧 | VCBO | 120 | Vdc |
| Emitter-Base電圧 | VEBO | 7.0 | Vdc |
| 連続的なコレクター流れ- | IC | 0.5 | Adc |
| 総装置消滅@ Tは25oCの上でA = 25oC軽減する | PD | 0.8 | ワットmW/oC |
| 総装置消滅@ Tは25oCの上でC = 25oC軽減する | PD | 3.0 | ワットmW/oC |
| 実用温度範囲 | TJ | -55から+200 | oc |
| 保管温度の範囲 | TS | -55から+200 | oc |
| 熱抵抗、包囲されたへの接続点 | RqJA | 219 | oC/W |
| 熱抵抗、包装するべき接続点 | RqJA | 58 | oC/W |
機械輪郭
| 特徴 | 記号 | MIN. | タイプ。 | MAX. | 単位 |
| 特徴を離れて | |||||
| Collector-Emitterの絶縁破壊電圧（I C = 100 mAdc、RBE = 10オーム） （1） | BVCER | 100 | -- | ||
| Collector-Emitterの支える電圧（1） （I C = 30 mAdc、IB = 0） （1） | BVCEO | 80 | -- | ||
| Collector-Baseの絶縁破壊電圧（I C = 100 mAdc、IE = 0） | BV （BR） CBO | 120 | -- | Vdc | |
| Emitter-Base絶縁破壊電圧（IE = 100 mAdc、IC = 0） | BV （BR） CBO | 7.0 | -- | ||
| コレクタ遮断電流（V CB = 90 Vdc、IE = 0） （V CB = 90 Vdc、IE = 0、TA = C） 150o | ICBO | -- | 0.01 | mAdc | |
| エミッターの締切りの流れ（VEB = 5.0 Vdc、IC = 0） | IEBO | -- | 0.01 | mAdc | |
| 特徴 | |||||
| D.C. 現在の利益（IC = 0.1のmAdc、VCE = 10 Vdc） （I C = 10mAdc、VCE = 10 Vdc） （1） （I C = 10mAdc、VCE = 10 Vdc、TA = C） （1） -55o （I C = 150mAdc、VCE = 10 Vdc） （1） | hFE | 20 | -- | -- | |
| Collector-Emitterの飽和電圧（1） （IC = 150 mAdc、IB = 15 mAdc） | VCE （土曜日） | -- | 0.5 | Vdc | |
| Base-Emitterの飽和電圧（1） （IC = 150 mAdc、IB = 15 mAdc） | VCE （土曜日） | -- | 1.3 | Vdc | |
| 小さい信号の短絡の先に流動比率の大きさ （I C = 50 mAdc、VCE = 10 Vdc、f = 20のMHz） | /hfe/ | 3 | 10 | ||
| 出力キャパシタンス（V CB = 10のVdc、IE = 0、f = 1.0 MHz） | COBO | 5 | 15 | pF | |
| 入れられたインピーダンス= （I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0kHz） | hib | 4.0 | 8.0 | オーム | |
| 電圧フィードバックの比率（I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz） | hrb | -- | 1.5 | X 10-4 | |
| Small-Signal現在の利益（I c = 1.0 mAdc、VcB = 5.0Vdc、f = 1.0 kHz） （I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz） | hfe | 35 | 100 | -- | |
| 出力アドミタンス（I C = 5.0 mAdc、VCB = 10 Vdc、f = 1.0 kHz） | 歯切り工具 | -- | 0.5 | mmho | |
| 脈拍応答（Vcc = 20Vdc、IC = 500mAdc） | トン+ tof | -- | 30 | ns |
（1）脈拍テスト:脈拍幅の£ 300氏の使用率の£ 2.0%。
関連製品
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
| イメージ | 部分# | 記述 | |
|---|---|---|---|
|
|
0402 0.063W 10kOhm SMTの厚いフィルムの破片の抵抗器RC0402JR-0710KL |
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
|
|
|
|
200MHz MPZ1608S300ATAH0の破片は電力線TDK SMD0603のための5Aに玉を付ける |
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
|
|
|
|
22R 5%のSMD0402フィルムの破片の抵抗器ERJ-2GEJ220X松下電器産業 |
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
|
|
|
|
MOV-20D751K 750V 6.5kAのバリスター穴ディスク20mmを通した青いSMDの破片の抵抗器1回路 |
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
|
|
|
|
2SB1261-TP 10Wの一般目的の整流器ダイオードのケイ素のエピタキシアル平面のPnpのトランジスター |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
|
|
|
|
IXFK140N30P北極力Mosfet Hiperfet TO264 300V 140A |
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
|
|
|
|
DF2B29FUのH3F TV 24VWM 47V ESDの保護ダイオード |
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
|
|
|
|
PMEG6010ER 1A低いVFメガ ショットキーの障壁の整流器SOD123 |
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
|
|
|
|
SK34SMA 3A SMDショットキーの障壁の整流器ダイオードは- 214AC |
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
|
|
|
|
SMBJ5.0Aのケイ素のなだれダイオード600Wの表面の台紙TVのダイオード |
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
|
RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
100pcs