BUK9237-55A 3 PinのトランジスターNチャネルMOS FET TrenchMOSの論理のレベルFET
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 55 V 32A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount DPAK
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
drain-source voltage:
55 V
drain-gate voltage:
55 V
gate-source voltage:
±15 V
drain current:
32 A
total power dissipation:
77 W
Package:
SOT428 (D-PAK)
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | 量 | ブランド | D/C | パッケージ |
| LD1117S25TR | 39000 | ST | 13+ | SOT-223 |
| LD1117S33CTR | 32000 | ST | 16+ | SOT-223 |
| LD39015M18R | 8024 | ST | 16+ | SOT23-5 |
| LD39300PT33-R | 6785 | ST | 14+ | TO-252 |
| LD7531AMGL | 16615 | LD | 16+ | SOT23-6 |
| LD7830GR | 9996 | LD | 15+ | SOP-8 |
| LDB212G4005C-001 | 56000 | 村田 | 14+ | SMD |
| LF25CDT | 21498 | ST | 13+ | TO-252 |
| LF347MX | 7640 | NS | 00+ | SOP-14 |
| LFB212G45SG8A192 | 40000 | 村田 | 16+ | SMD |
| LFCN-400+ | 1736 | 小型 | 14+ | SMD |
| LFCN-80+ | 3554 | 小型 | 15+ | SMD |
| LFCN-900+ | 3324 | 小型 | 15+ | SMD |
| LFE2M100E-6FN900C-5I | 256 | 格子 | 16+ | BGA900 |
| LFXP2-8E-5TN144C | 1363 | 格子 | 16+ | QFP144 |
| LH1518AABTR | 3172 | VISHAY | 04+ | SMD-6 |
| LH1520AAC | 8563 | VISHAY | 13+ | SOP-8 |
| LH1540AABTR | 5958 | VISHAY | 00+ | SOP-6 |
| LH5116NA-10 | 14603 | シャープ | 13+ | SOP-24 |
| LHI878/3902 | 14674 | HEIMANN | 10+ | CAN-3 |
| LIS2DH12TR | 7611 | ST | 15+ | LGA12 |
| LIS3DHTR | 4847 | ST | 14+ | LGA16 |
| LL4004 | 15000 | ST | 16+ | LL41 |
| LL4148-GS08 | 45000 | VISHAY | 15+ | LL34 |
| LLQ2012-F56NJ | 12000 | TOKO | 16+ | SMD |
| LM1086CSX-3.3 | 21569 | NS | 15+ | TO-263 |
| LM1086CT-3.3 | 15605 | NS | 15+ | TO-220 |
| LM111J-8 | 5202 | NSC | 15+ | CDIP-8 |
| LM19CIZ | 4073 | NS | 16+ | TO-92 |
| LM201AN | 4387 | 16+ | DIP-8 |
BUK9237-55A TrenchMOS™の論理のレベルFET
記述
非常に低いオン州の抵抗を特色にするTrenchMOS™1技術を使用してプラスチック パッケージのN-channelの強化モードfield-effect力トランジスター。
製品納期情報:SOT428 （D-PAK）のBUK9237-55A。
特徴
■TrenchMOS™の技術
■迎合的なQ101
■175 °Cは評価した
■互換性がある論理のレベル。
適用
■自動車および一般目的力の切換え:
◆12ボルトおよび24のVの負荷
◆モーター、ランプおよびソレノイド。
限界値
に従って絶対最高評価システム（IEC 60134）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | 最高 | 単位 |
| VDS | 下水管源の電圧（DC） | - | 55 | V | |
| VDGR | 下水管ゲートの電圧（DC） | RGS = 20 kΩ | - | 55 | V |
| VGS | ゲート源の電圧（DC） | - | ±15 | V | |
| ID | 下水管の流れ（DC） | Tmb = 25 °C;VGS = 5ボルト;図2および3 | - | 32 | |
| Tmb = 100 °C;VGS = 5ボルト;図2 | - | 22 | |||
| IDM | ピーク下水管の流れ | Tmb = 25 °C;脈打つ;TPの≤ 10のµs;図3 | - | 129 | |
| Ptot | 全体の電力損失 | Tmb = 25 °C;図1 | - | 77 | W |
| Tstg | 保管温度 | -55 | +175 | °C | |
| Tj | 作動の接合部温度 | -55 | +175 | °C | |
| 源下水管のダイオード | |||||
| IDR | 逆の下水管の流れ（DC） | Tmb = 25 °C | - | 32 | |
| IDRM | ピーク逆の下水管の流れ | Tmb = 25 °C;脈打つ;TPの≤ 10のµs | - | 129 | |
| なだれの険しさ | |||||
| WDSS | 非反復なだれエネルギー |
unclamped誘導負荷;ID = 32 A;VDSの≤ 30 V; VGS = 5ボルト;RGS = 50 Ω;Tjを始める= 25 °C |
- | 76 | mJ |
パッケージの輪郭
プラスチック片端接地の表面の取付けられたパッケージ（D-PAKのフィリップス版）;3つの鉛
（1つの鉛は収穫した） SOT428
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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標準的:
MOQ:
20pcs