IRF740PBF-BE3チャネルTO-220力MOSFET二重力mosfet
メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiation
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-source Voltage (VGS = 0):
400 V
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ):
400 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC:
10 A
Drain Current (continuous) at Tc = 100 o C:
6.3 A
ハイライト:
npn smd transistor
,silicon power transistors
導入
物品目録
| PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
| MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
| PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
| MB87020PF-G-BND | 3531 | 冨士通 | 14+ | QFP |
| MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | ジッパー |
| 7MBP150RTB060 | 210 | 富士 | 12+ | モジュール |
| MBM200HS6B | 629 | 日立 | 14+ | モジュール |
| PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | モジュール |
| PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | モジュール |
| LA1185 | 3928 | 鳥取三洋電機 | 14+ | SIP9 |
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | モジュール |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | 16+ | UQFN | |
| NCN1154MUTAG | 8400 | 16+ | UQFN | |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | ST | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | モジュール |
| BNX003-01 | 2058年 | 村田 | 14+ | すくい |
| LTC4441IMSE | 6207 | 線形 | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | 脈拍 | 16+ | SOP |
| P0926NL | 8560 | 脈拍 | 16+ | SOP |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | LAMBDA | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | モジュール |
| CXA3834M | 2531 | ソニー | 15+ | SOP |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | SOP |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | MPS | 16+ | SOP |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | SOP |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | モジュール |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | モジュール |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | モジュール |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | 16+ | SSOP | |
| 2DI150D-050C | 991 | 富士 | 14+ | モジュール |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | モジュール |
IRF740 N -チャネルTO-220力MOSFET二重力mosfet
■典型的なRDS （） = 0.48のΩ
■非常に高いdv/dtの機能
■100%のなだれはテストした
■まさに低く本質的なキャパシタンス
■ゲート充満は最小になった
記述
この力MOSFETはレイアウト ベースの網がプロセスの上にあった会社の強化されたストリップを使用して設計されている。この技術はさまざまな源からの標準的な部分と比較される性能に一致させ、改善する。
適用
■高い現在の切換え
■無停電電源装置（UPS）
■産業電気通信のためのDC/DC COVERTERS
そして照明器具。
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| イメージ | 部分# | 記述 | |
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RFQを送りなさい
標準的:
MOQ:
5pcs