IRFBC30二重力mosfet力MosfetのトランジスターN-CHANNEL 600V 1.8のオームTO-220 PowerMESH] II MOSFET
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メーカー:
製造者
記述:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
Drain-source Voltage (VGS = 0):
600 V
Gate-source Voltage:
± 20 V
Drain Current (pulsed):
14 A
Peak Diode Recovery voltage slope:
3 V/ns
Storage Temperature:
-65 to 150 ℃
Max. Operating Junction Temperature:
150 ℃
ハイライト:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
導入
IRFBC30
N - チャネル600V - 1.8 Ω - 3.6A - TO-220 PowerMESHTM ΙΙ MOSFET
| タイプ | VDSS | RDS （） | ID |
| IRFBC30 | 600ボルト | < 2=""> | 3.6 A |
TO-220
■典型的なRDSの（） = 1.8 Ω
■非常に高いdv/dtの機能
■100%のなだれはテストした
■まさに低く本質的なキャパシタンス
■ゲート充満は最小になった
記述
PowerMESHTM ΙΙは網OVERLAYTMの第一世代の進化である。装置をどんな心配切り替え速度、ゲート充満および険しさのためのリーディング エッジで保っている間Ron*areaの性能指数を改良するために非常にもたらされるレイアウトの洗練。
適用
■高い流れ、高速切換え
■SWITHモード電源（SMPS）
■溶接装置および無停電電源装置およびモーター運転者のためのDC-ACのコンバーター
絶対最高評価
| 記号 | 変数 | 価値 | 単位 |
| VDS | 下水管源の電圧（VGS = 0） | 600 | V |
| VDGR | 下水管のゲートの電圧（RGS = 20 kΩ） | 600 | V |
| VGS | ゲート源の電圧 | ± 20 | V |
| ID | 現在を（連続的）でTc = 25 ℃流出させなさい | 3.6 | |
| ID | 現在を（連続的）でTc = 100 ℃流出させなさい | 2.3 | |
| IDM （•） | 下水管の流れ（脈打つ） | 14 | |
| Ptot | 総消滅のTc = 25 ℃ | 75 | W |
| 要因の軽減 | 0.6 | With℃ | |
| dv/dt （1） | ピーク ダイオードの回復電圧斜面 | 3 | V/ns |
| Tstg | 保管温度 | -65から150 | ℃ |
| Tj | 最高。作動の接合部温度 | 150 | ℃ |
（•）安全運転区域限られる脈拍幅
（1） ISD ≤3.6 Aのdi/dtの≤ 60 A/µsのVDDの≤ V （BR） DSSのTjの≤ TJMAX
内部図式的な図表
TO-220機械データ
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10pcs