IRFB31N20DPBFのsmd力mosfet二重力mosfet力Mosfetのトランジスターか。か。か。か。か。か。か。か。HEXFET®力MOSFET
メーカー:
製造者
記述:
Nチャンネル 200V 31A(Tc) 3.1W(Ta)、200W(Tc) スルーホール TO-220AB
部門:
電子ICの破片
価格:
Negotiate
支払方法:
T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
指定
連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V:
21 A
脈打った下水管の流れ:
124 A
線形軽減の要因:
1.3 With°C
ゲートに源の電圧:
± 30 V
ピーク ダイオードの回復dv/dt:
2.1 V/ns
ハイライト:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
導入
HEXFETか。力MOSFET
| VDSS | 最高RDS （） | ID |
| 200V | 0.082Ω | 31A |
適用
- か。高周波DC-DCのコンバーターか。
- 無鉛
利点
- か。損失を転換することを減るために流出するべき低いゲートか。
- 設計を簡単にする有効なCOSSを含む十分に特徴付けられたキャパシタンス（1001を見なさい）か。
- 十分に特徴付けられたなだれの電圧および流れ
絶対最高評価
| 変数 | 最高。 | 単位 | |
| ID @ TC = 25°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 31 | |
| ID @ TC = 100°C | 連続的な下水管の流れ、VGS @ 10V | 21 | |
| IDM | 脈打つ現在のを流出させなさい | 124 | |
| PD @TA = 25°C | 電力損失 | 3.1 | W |
| PD @TC = 25°C | 電力損失 | 200 | W |
| 線形軽減の要因 | 1.3 | With°C | |
| VGS | ゲートに源の電圧 | ± 30 | V |
| dv/dt | ピーク ダイオードの回復dv/dt | 2.1 | V/ns |
|
TJ TSTG |
作動の接続点 保管温度の範囲 |
-55に+ 175 | °C |
| 10秒のはんだ付けする温度、 | 300 （場合からの1.6mm） | °C | |
| トルク、6-32またはM3 srewを取付ける | 10のlbf•（1.1N•m） |
標準的な提供（熱い販売法）
| 部品番号。 | Q'ty | MFG | D/C | パッケージ |
| MAX1636EAP-T | 6200 | 格言 | 10+ | SSOP |
| MAC8M | 9873 | 10+ | TO-220 | |
| MJD117-1G | 8000 | 14+ | TO-263 | |
| MAX1683EUK+T | 6350 | 格言 | 16+ | SOT |
| L3G4200D | 2729 | ST | 15+ | LGA16 |
| PTN78020AAH | 400 | チタニウム | 15+ | すくい |
| MAX4214EUK+T | 5968 | 格言 | 10+ | SOT |
| MX25L12873FM2I-10G | 4500 | MXIC | 15+ | SOP |
| ATTINY10-TSHR | 3000 | ATMEL | 15+ | SOT23 |
| PTN78060WAD | 980 | チタニウム | 15+ | すくい |
| PIC18F2520-I/SO | 4598 | マイクロチップ | 15+ | SOP |
| MC33269DR2-5.0 | 4554 | 15+ | SOP | |
| MCP3421AOT-E/CH | 5302 | マイクロチップ | 16+ | SOT |
| MMBFJ108 | 10000 | フェアチャイルド | 16+ | SOT-23 |
| PIC18F8520-I/PT | 4273 | マイクロチップ | 14+ | TQFP |
| PIC18F4550-I/PT | 4438 | マイクロチップ | 14+ | QFP |
| MC68HC908QY4CPE | 3832 | FREESCALE | 14+ | すくい |
| ZTX751 | 16060 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| MC9S12C64MFAE | 4732 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| ZTX651 | 29000 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| LTC1650AIS | 2802 | 線形 | 11+ | SOP |
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10pcs